TPN1110ENH,L1Q厂家价格_数据手册

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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TPN1110ENH,L1Q Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥11.626615 +200：￥4.64409 +500：￥4.491108 +1000：￥4.414617	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： U-MOSVIII-H 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 114 毫欧 3.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 200µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 600 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 700mW（Ta），39W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-TSON Advance（3.1x3.1）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TPN1110ENH,L1Q Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5000：￥4.740775	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： U-MOSVIII-H 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 114 毫欧 3.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 200µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 600 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 700mW（Ta），39W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-TSON Advance（3.1x3.1）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
TPN1110ENH,L1Q Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5000：￥8.192042	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： U-MOSVIII-H 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 114 毫欧 3.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 200µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 600 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 700mW（Ta），39W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-TSON Advance（3.1x3.1）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： 150°C（TJ）
TPN1110ENH,L1Q Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥19.769632 +10：￥17.718532 +100：￥13.817738 +500：￥11.414245 +1000：￥9.011246	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： U-MOSVIII-H 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： 8-TSON Advance (3.3x3.3)
TPN1110ENH,L1Q Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+500：￥4.959258	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： U-MOSVIII-H 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： 8-TSON Advance (3.3x3.3)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TPN1110ENH,L1Q Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON 下载数据手册未分类	+1：￥24.243094 +10：￥21.763687 +100：￥16.942617 +500：￥14.049975 +1000：￥11.047137	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： U-MOSVIII-H 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 114 毫欧 3.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 200µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 600 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 700mW（Ta），39W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-TSON Advance（3.1x3.1）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TPN1110ENH,L1Q 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 200V 13A 8-Pin TSON EP Advance T/R 下载数据手册未分类	+5000：￥13.004129 +10000：￥12.874454 +15000：￥12.746089 +20000：￥12.617725 +25000：￥12.49198	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

TPN1110ENH,L1Q参数规格

属性	参数值
品牌:	Toshiba Semiconductor and Storage
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	U-MOSVIII-H
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	7.2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	114 毫欧 3.6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 200µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	7 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	600 pF 100 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	700mW（Ta），39W（Tc）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-TSON Advance（3.1x3.1）
封装/外壳:	8-PowerVDFN
温度:	150°C（TJ）