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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
SQV120N06-4M7L_GE3_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
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¥20.16503

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Vishay Siliconix

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

零件状态: 最后售卖

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 120A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 4.7 毫欧 30A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 230 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 8800 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 250W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-262

封装/外壳: TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA

温度: -55°C # 175°C(TJ)

Mouser
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SQV120N06-4M7L_GE3_晶体管
SQV120N06-4M7L_GE3
授权代理品牌

MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3

晶体管

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库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Vishay Siliconix

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

零件状态: 最后售卖

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 120A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 4.7 毫欧 30A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 230 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 8800 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 250W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-262

封装/外壳: TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA

温度: -55°C # 175°C(TJ)

SQV120N06-4M7L_GE3参数规格

属性 参数值
品牌: Vishay Siliconix
包装: 卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
零件状态: 最后售卖
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 120A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 4.7 毫欧 30A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 230 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 8800 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 250W(Tc)
工作温度: -55°C # 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-262
封装/外壳: TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
温度: -55°C # 175°C(TJ)