SIZ260DT-T1-GE3厂家价格_数据手册

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	SIZ260DT-T1-GE3 Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 5A TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.987525 +10：￥8.468634 +30：￥7.638162	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件,剪切带（CT）封装/外壳： * 系列： E 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 950 毫欧 2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 22.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 422 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 30W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220 整包封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	SIZ260DT-T1-GE3 Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 5A TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥13.887217	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件,剪切带（CT）封装/外壳： * 系列： E 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 950 毫欧 2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 22.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 422 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 30W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220 整包封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	SIZ260DT-T1-GE3 Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET DUAL N-CH 80V POWERPAIR 3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥3.459659 +6000：￥3.294886 +9000：￥3.142876	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件,剪切带（CT）封装/外壳： * 系列： E 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 950 毫欧 2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 22.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 422 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 30W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220 整包封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
SIZ260DT-T1-GE3 Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 5A TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥14.454433 +10：￥11.825224 +100：￥9.197257 +500：￥7.795925 +1000：￥6.350606	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件,剪切带（CT）封装/外壳： * 系列： E 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 950 毫欧 2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 22.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 422 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 30W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220 整包封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）
SIZ260DT-T1-GE3 Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 5A TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥14.454433 +10：￥11.825224 +100：￥9.197257 +500：￥7.795925 +1000：￥6.350606	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： E 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Through Hole 封装/外壳： TO-220-3 Full Pack 供应商器件封装： TO-220 Full Pack
SIZ260DT-T1-GE3 Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET DUAL N-CH 80V POWERPAIR 3 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥5.978279 +6000：￥5.693552 +9000：￥5.43088	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay Siliconix 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： TrenchFET® Gen IV 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 80V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.9A（Ta），24.7A（Tc），8.9A（Ta），24.6A（Tc）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 24.5 毫欧 10A，10V，24.7 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 820pF 40V 功率 - 最大值： 4.3W（Ta），33W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-PowerWDFN 供应商器件封装： 8-PowerPair®（3.3x3.3）温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	SIZ260DT-T1-GE3 Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 5A TO220 下载数据手册未分类	+1：￥18.219284 +10：￥15.019027 +100：￥11.692028 +500：￥9.901784 +1000：￥8.064014	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件,剪切带（CT）封装/外壳： * 系列： E 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 950 毫欧 2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 22.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 422 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 30W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220 整包封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	SIZ260DT-T1-GE3 Vishay 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 80V 8.9A 8-Pin PowerPAIR EP T/R 下载数据手册未分类	+6000：￥7.349501	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	SIZ260DT-T1-GE3 VISHAY(威世) 授权代理品牌	MOSFET DUAL N-CHANNEL 80-V PowerPAIR 3 x 3S 下载数据手册未分类	+3000：￥4.059801 +6000：￥3.975024 +9000：￥3.89967	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	SIZ260DT-T1-GE3 VISHAY(威世) 授权代理品牌	MOSFET, DUAL N-CH, 80V, 24.7A, 150DEG C 下载数据手册未分类	+5：￥8.89303 +50：￥7.986291 +100：￥7.067923 +500：￥4.882447 +1500：￥4.78945	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

SIZ260DT-T1-GE3参数规格

属性	参数值
品牌:	Vishay Siliconix
包装:	管件,剪切带（CT）
封装/外壳:	*
系列:	E
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	950 毫欧 2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	22.5 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	422 pF 100 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	30W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220 整包
封装/外壳:	TO-220-3 整包
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
SIZ260DT-T1-GE3 Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 5A TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥14.454433 +10：￥11.825224 +100：￥9.197257 +500：￥7.795925 +1000：￥6.350606	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件,剪切带（CT）封装/外壳： * 系列： E 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 950 毫欧 2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 22.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 422 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 30W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220 整包封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）
SIZ260DT-T1-GE3 Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 5A TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥14.454433 +10：￥11.825224 +100：￥9.197257 +500：￥7.795925 +1000：￥6.350606	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： E 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Through Hole 封装/外壳： TO-220-3 Full Pack 供应商器件封装： TO-220 Full Pack
SIZ260DT-T1-GE3 Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET DUAL N-CH 80V POWERPAIR 3 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥5.978279 +6000：￥5.693552 +9000：￥5.43088	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay Siliconix 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： TrenchFET® Gen IV 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 80V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.9A（Ta），24.7A（Tc），8.9A（Ta），24.6A（Tc）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 24.5 毫欧 10A，10V，24.7 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 820pF 40V 功率 - 最大值： 4.3W（Ta），33W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-PowerWDFN 供应商器件封装： 8-PowerPair®（3.3x3.3）温度： -55°C # 150°C（TJ）