搜索 SIHA100N60E-GE3 共 7 条相关记录
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图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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SIHA100N60E-GE3 授权代理品牌 | +1: ¥76.530379 +10: ¥64.35509 +50: ¥63.880729 +100: ¥51.863562 +250: ¥51.547321 |
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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SIHA100N60E-GE3 授权代理品牌 | MOSFET 600V Vds, +/-30V Vgs Thin-Lead TO-220 | +1000: ¥21.826321 | 暂无参数 |
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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SIHA100N60E-GE3 授权代理品牌 | 场效应管, MOSFET, N沟道, 30A, 600V, TO-220FP | +1: ¥45.344326 +10: ¥40.729127 +100: ¥33.370449 +500: ¥28.40911 | 暂无参数 |
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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SIHA100N60E-GE3 授权代理品牌 | Days to ship 7 | +15: ¥56.645484 +65: ¥54.235038 | 暂无参数 |
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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SIHA100N60E-GE3 授权代理品牌 | Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=600 V, 30 A, TO-220封装, 通孔安装, 3引脚 | +2: ¥38.000176 +14: ¥36.86396 +26: ¥35.756434 | 暂无参数 | ||
SIHA100N60E-GE3 授权代理品牌 | Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=600 V, 30 A, TO-220封装, 通孔安装, 3引脚 | +14: ¥36.86396 +26: ¥35.756434 | 暂无参数 |
SIHA100N60E-GE3参数规格
属性 | 参数值 |
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品牌: | Vishay Siliconix |
包装: | 管件 |
封装/外壳: | * |
系列: | E |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 600 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 30A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 100 毫欧 13A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 5V 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 50 nC 10 V |
Vgs(最大值): | ±30V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 1851 pF 100 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 35W(Tc) |
工作温度: | -55°C # 150°C(TJ) |
安装类型: | 通孔 |
供应商器件封装: | TO-220 整包 |
封装/外壳: | TO-220-3 整包 |
温度: | -55°C # 150°C(TJ) |