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SISS22LDN-T1-GE3_晶体管-FET,MOSFET-单个
SISS22LDN-T1-GE3
授权代理品牌

MOSFET N-CH 60V 25.5A/92.5A PPAK

晶体管-FET,MOSFET-单个

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¥4.491108

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¥1.737436

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¥1.6828

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¥1.650018

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Vishay Siliconix

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: TrenchFET® Gen IV

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 25.5A(Ta),92.5A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 3.65 毫欧 15A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 56 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2540 pF 30 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 5W(Ta),65.7W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: PowerPAK® 1212-8S

封装/外壳: PowerPAK® 1212-8S

温度: -55°C # 150°C(TJ)

自营 国内现货
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SISS22LDN-T1-GE3_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

MOSFET N-CH 60V 25.5A/92.5A PPAK

晶体管-FET,MOSFET-单个

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¥3.451511

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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Vishay Siliconix

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: TrenchFET® Gen IV

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 25.5A(Ta),92.5A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 3.65 毫欧 15A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 56 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2540 pF 30 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 5W(Ta),65.7W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: PowerPAK® 1212-8S

封装/外壳: PowerPAK® 1212-8S

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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SISS22LDN-T1-GE3_晶体管-FET,MOSFET-单个
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MOSFET N-CH 60V 25.5A/92.5A PPAK

晶体管-FET,MOSFET-单个

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货期:7~10 天

品牌: Vishay Siliconix

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: TrenchFET® Gen IV

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 25.5A(Ta),92.5A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 3.65 毫欧 15A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 56 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2540 pF 30 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 5W(Ta),65.7W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: PowerPAK® 1212-8S

封装/外壳: PowerPAK® 1212-8S

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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MOSFET N-CH 60V 25.5A/92.5A PPAK

晶体管-FET,MOSFET-单个

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¥17.746377

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¥14.518372

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¥11.291898

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¥9.571418

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货期:7~10 天

系列: TrenchFET® Gen IV

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: PowerPAK® 1212-8S

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MOSFET N-CH 60V 25.5A/92.5A PPAK

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货期:7~10 天

系列: TrenchFET® Gen IV

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: PowerPAK® 1212-8S

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Mouser
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SISS22LDN-T1-GE3_未分类
SISS22LDN-T1-GE3
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MOSFET N-CH 60V 25.5A/92.5A PPAK

未分类

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品牌: Vishay Siliconix

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: TrenchFET® Gen IV

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 25.5A(Ta),92.5A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 3.65 毫欧 15A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 56 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2540 pF 30 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 5W(Ta),65.7W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: PowerPAK® 1212-8S

封装/外壳: PowerPAK® 1212-8S

温度: -55°C # 150°C(TJ)

艾睿
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SISS22LDN-T1-GE3
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Trans MOSFET N-CH 60V 25.5A 8-Pin PowerPAK 1212-S EP T/R

未分类

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¥5.438919

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SISS22LDN-T1-GE3
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MOSFET, N-CH, 60V, 92.5A, 150DEG C

未分类

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货期:7~10 天

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SISS22LDN-T1-GE3参数规格

属性 参数值
品牌: Vishay Siliconix
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: TrenchFET® Gen IV
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 25.5A(Ta),92.5A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 3.65 毫欧 15A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 56 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2540 pF 30 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 5W(Ta),65.7W(Tc)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
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封装/外壳: PowerPAK® 1212-8S
温度: -55°C # 150°C(TJ)