SISS22LDN-T1-GE3厂家价格_数据手册

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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	SISS22LDN-T1-GE3 Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 25.5A/92.5A PPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.491108 +200：￥1.737436 +500：￥1.6828 +1000：￥1.650018	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： TrenchFET® Gen IV 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 25.5A（Ta），92.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.65 毫欧 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 56 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2540 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 5W（Ta），65.7W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerPAK® 1212-8S 封装/外壳： PowerPAK® 1212-8S 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	SISS22LDN-T1-GE3 Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 25.5A/92.5A PPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥3.451511 +6000：￥3.287125 +9000：￥3.135475	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： TrenchFET® Gen IV 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 25.5A（Ta），92.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.65 毫欧 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 56 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2540 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 5W（Ta），65.7W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerPAK® 1212-8S 封装/外壳： PowerPAK® 1212-8S 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
SISS22LDN-T1-GE3 Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 25.5A/92.5A PPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥7.339809 +6000：￥6.990237 +9000：￥6.667743	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay Siliconix 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： TrenchFET® Gen IV 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 25.5A（Ta），92.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.65 毫欧 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 56 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2540 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 5W（Ta），65.7W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerPAK® 1212-8S 封装/外壳： PowerPAK® 1212-8S 温度： -55°C # 150°C（TJ）
SISS22LDN-T1-GE3 Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 25.5A/92.5A PPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥17.746377 +10：￥14.518372 +100：￥11.291898 +500：￥9.571418 +1000：￥7.796933	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： TrenchFET® Gen IV 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： PowerPAK® 1212-8S 供应商器件封装： PowerPAK® 1212-8S
SISS22LDN-T1-GE3 Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 25.5A/92.5A PPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥17.746377 +10：￥14.518372 +100：￥11.291898 +500：￥9.571418 +1000：￥7.796933	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： TrenchFET® Gen IV 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： PowerPAK® 1212-8S 供应商器件封装： PowerPAK® 1212-8S

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	SISS22LDN-T1-GE3 Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 25.5A/92.5A PPAK 下载数据手册未分类	+1：￥18.946117 +10：￥15.499885 +100：￥12.069985 +500：￥10.22437 +1000：￥8.329758	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay Siliconix 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： TrenchFET® Gen IV 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 25.5A（Ta），92.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.65 毫欧 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 56 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2540 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 5W（Ta），65.7W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerPAK® 1212-8S 封装/外壳： PowerPAK® 1212-8S 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	SISS22LDN-T1-GE3 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 60V 25.5A 8-Pin PowerPAK 1212-S EP T/R 下载数据手册未分类	+6000：￥5.438919 +9000：￥5.246692	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	SISS22LDN-T1-GE3 VISHAY(威世) 授权代理品牌	MOSFET, N-CH, 60V, 92.5A, 150DEG C 下载数据手册未分类	+1：￥11.942514 +10：￥10.054942 +100：￥8.106876 +500：￥7.320381 +1000：￥6.437101	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

SISS22LDN-T1-GE3参数规格

属性	参数值
品牌:	Vishay Siliconix
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	TrenchFET® Gen IV
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	25.5A（Ta），92.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	3.65 毫欧 15A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	56 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2540 pF 30 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	5W（Ta），65.7W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PowerPAK® 1212-8S
封装/外壳:	PowerPAK® 1212-8S
温度:	-55°C # 150°C（TJ）