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	RUM001L02T2CL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 100MA VMT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.24255 +100：￥0.187425 +300：￥0.165375 +1000：￥0.148838 +4000：￥0.137813	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.2V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.5 欧姆 100mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7.1 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： VMT3 封装/外壳： SOT-723 温度： 150°C（TJ）

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	RUM001L02T2CL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 100MA VMT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+400：￥0.19965 +1000：￥0.184041 +4000：￥0.182347 +8000：￥0.1815 +16000：￥0.172425	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.2V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.5 欧姆 100mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7.1 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： VMT3 封装/外壳： SOT-723 温度： 150°C（TJ）

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	RUM001L02T2CL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 100MA VMT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.128502	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.2V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.5 欧姆 100mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7.1 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： VMT3 封装/外壳： SOT-723 温度： 150°C（TJ）

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RUM001L02T2CL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 100MA VMT3 下载数据手册未分类	+8000：￥0.128271	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.2V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.5 欧姆 100mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7.1 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： VMT3 封装/外壳： SOT-723 温度： 150°C（TJ）
RUM001L02T2CL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 100MA VMT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2400：￥0.133127 +8000：￥0.114142	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.2V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.5 欧姆 100mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7.1 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： VMT3 封装/外壳： SOT-723 温度： 150°C（TJ）
RUM001L02T2CL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 100MA VMT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.870997 +500：￥0.290332 +4000：￥0.194018 +8000：￥0.138104 +48000：￥0.137063	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.2V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.5 欧姆 100mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7.1 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： VMT3 封装/外壳： SOT-723 温度： 150°C（TJ）
RUM001L02T2CL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 100MA VMT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+8000：￥0.111132 +16000：￥0.10928 +24000：￥0.107428 +32000：￥0.105575	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.2V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.5 欧姆 100mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7.1 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： VMT3 封装/外壳： SOT-723 温度： 150°C（TJ）
RUM001L02T2CL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 100MA VMT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+8000：￥0.129191 +24000：￥0.126991 +40000：￥0.124908	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.2V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.5 欧姆 100mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7.1 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： VMT3 封装/外壳： SOT-723 温度： 150°C（TJ）
RUM001L02T2CL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 100MA VMT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+8000：￥0.152807 +16000：￥0.15026 +24000：￥0.147713 +32000：￥0.145167	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.2V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.5 欧姆 100mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7.1 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： VMT3 封装/外壳： SOT-723 温度： 150°C（TJ）

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	RUM001L02T2CL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 100MA VMT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+8000：￥0.26479 +16000：￥0.240587 +24000：￥0.228267 +40000：￥0.226703	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.2V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.5 欧姆 100mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7.1 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： VMT3 封装/外壳： SOT-723 温度： 150°C（TJ）

RUM001L02T2CL参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	100mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	1.2V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	3.5 欧姆 100mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	-
Vgs（最大值）:	±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	7.1 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	150mW（Ta）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	VMT3
封装/外壳:	SOT-723
温度:	150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
RUM001L02T2CL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 100MA VMT3 下载数据手册未分类	+8000：￥0.128271	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.2V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.5 欧姆 100mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7.1 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： VMT3 封装/外壳： SOT-723 温度： 150°C（TJ）
RUM001L02T2CL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 100MA VMT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2400：￥0.133127 +8000：￥0.114142	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.2V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.5 欧姆 100mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7.1 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： VMT3 封装/外壳： SOT-723 温度： 150°C（TJ）
RUM001L02T2CL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 100MA VMT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.870997 +500：￥0.290332 +4000：￥0.194018 +8000：￥0.138104 +48000：￥0.137063	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.2V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.5 欧姆 100mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7.1 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： VMT3 封装/外壳： SOT-723 温度： 150°C（TJ）
RUM001L02T2CL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 100MA VMT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+8000：￥0.111132 +16000：￥0.10928 +24000：￥0.107428 +32000：￥0.105575	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.2V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.5 欧姆 100mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7.1 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： VMT3 封装/外壳： SOT-723 温度： 150°C（TJ）
RUM001L02T2CL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 100MA VMT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+8000：￥0.129191 +24000：￥0.126991 +40000：￥0.124908	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.2V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.5 欧姆 100mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7.1 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： VMT3 封装/外壳： SOT-723 温度： 150°C（TJ）
RUM001L02T2CL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 100MA VMT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+8000：￥0.152807 +16000：￥0.15026 +24000：￥0.147713 +32000：￥0.145167	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.2V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.5 欧姆 100mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7.1 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： VMT3 封装/外壳： SOT-723 温度： 150°C（TJ）