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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	R6020ANX Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 20A TO-220FM 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥48.293399 +200：￥40.2446 +500：￥32.19568 +1000：￥26.829693	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 220 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 65 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2040 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 50W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220FM 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	R6020ANX Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 20A TO-220FM 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥49.544242 +200：￥19.177359 +500：￥18.499868 +1000：￥18.17205	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 220 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 65 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2040 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 50W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220FM 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	R6020ANX VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	R6020ANX VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥11.496819 +500：￥10.907215 +1000：￥10.612415 +1550：￥10.31772 +2150：￥9.924581	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	R6020ANX Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 20A TO-220FM 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥40.830065 +10：￥36.694934	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 220 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 65 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2040 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 50W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220FM 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	R6020ANX Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 20A TO-220FM 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥99.881156 +10：￥89.765533	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 220 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 65 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2040 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 50W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220FM 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	R6020ANX Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 20A TO-220FM 下载数据手册	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 220 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 65 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2040 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 50W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220FM 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： 150°C（TJ）

R6020ANX参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	散装
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	20A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	220 毫欧 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4.5V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	65 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2040 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	50W（Tc）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220FM
封装/外壳:	TO-220-3 整包
温度:	150°C（TJ）