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	R6020ENX Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥71.235241 +10：￥47.49008 +50：￥39.575107	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 196 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 60 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1400 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 50W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220FM 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： 150°C（TJ）

自营现货库存

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	R6020ENX Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM 下载数据手册未分类	+1：￥29.492702 +10：￥28.083084 +50：￥27.21983	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 196 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 60 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1400 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 50W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220FM 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： 150°C（TJ）

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	R6020ENX Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥14.4716	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 196 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 60 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1400 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 50W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220FM 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
R6020ENX Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM 下载数据手册未分类	+1000：￥7.202743 +3000：￥6.556788 +4000：￥6.070586	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 196 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 60 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1400 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 50W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220FM 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： 150°C（TJ）
R6020ENX Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM 下载数据手册未分类	+1：￥36.148577 +100：￥20.893858 +500：￥13.246703	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 196 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 60 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1400 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 50W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220FM 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： 150°C（TJ）
R6020ENX VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	R6020ENX VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥12.71489 +1000：￥11.973199 +3000：￥11.443355 +5000：￥11.125587	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
R6020ENX Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM 下载数据手册未分类	+10：￥33.059812 +100：￥27.144907 +500：￥23.025713 +1000：￥18.354823 +2500：￥17.45709	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 196 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 60 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1400 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 50W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220FM 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： 150°C（TJ）

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	R6020ENX Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM 下载数据手册	+1：￥39.444048 +100：￥22.798656 +500：￥14.454288	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 196 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 60 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1400 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 50W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220FM 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： 150°C（TJ）

自营国内现货

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	R6020ENX Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥19.41813 +10：￥17.417957 +100：￥14.270734 +500：￥12.148534 +1000：￥10.24577	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 196 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 60 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1400 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 50W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220FM 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

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	R6020ENX Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥47.501891 +10：￥42.608937 +100：￥34.909996 +500：￥29.718533 +1000：￥25.063867	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 196 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 60 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1400 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 50W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220FM 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： 150°C（TJ）

R6020ENX参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	散装
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	20A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	196 毫欧 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	60 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1400 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	50W（Tc）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220FM
封装/外壳:	TO-220-3 整包
温度:	150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
R6020ENX Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM 下载数据手册未分类	+1000：￥7.202743 +3000：￥6.556788 +4000：￥6.070586	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 196 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 60 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1400 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 50W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220FM 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： 150°C（TJ）
R6020ENX Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM 下载数据手册未分类	+1：￥36.148577 +100：￥20.893858 +500：￥13.246703	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 196 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 60 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1400 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 50W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220FM 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： 150°C（TJ）
R6020ENX VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	R6020ENX VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥12.71489 +1000：￥11.973199 +3000：￥11.443355 +5000：￥11.125587	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
R6020ENX Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM 下载数据手册未分类	+10：￥33.059812 +100：￥27.144907 +500：￥23.025713 +1000：￥18.354823 +2500：￥17.45709	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 196 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 60 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1400 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 50W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220FM 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： 150°C（TJ）