RQ5E040AJTCL厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RQ5E040AJTCL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 4A SC96 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.673793 +200：￥1.394888 +500：￥1.115862 +1000：￥0.929885	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 37 毫欧 4A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.3 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 480 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT3 封装/外壳： SC-96 温度： 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RQ5E040AJTCL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 4A SC96 下载数据手册	+1：￥5.75784 +100：￥3.328128 +1500：￥2.110032 +3000：￥1.525536	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 37 毫欧 4A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.3 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 480 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT3 封装/外壳： SC-96 温度： 150°C（TJ）

自营国内现货

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	RQ5E040AJTCL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 4A SC96 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.898995	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 37 毫欧 4A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.3 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 480 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT3 封装/外壳： SC-96 温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
RQ5E040AJTCL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 4A SC96 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥2.19918	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 37 毫欧 4A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.3 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 480 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT3 封装/外壳： SC-96 温度： 150°C（TJ）
RQ5E040AJTCL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 4A SC96 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥8.567236 +10：￥5.293327 +100：￥3.417715 +500：￥2.609336 +1000：￥2.348496	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SC-96 供应商器件封装： TSMT3
RQ5E040AJTCL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 4A SC96 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥8.567236 +10：￥5.293327 +100：￥3.417715 +500：￥2.609336 +1000：￥2.348496	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SC-96 供应商器件封装： TSMT3

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RQ5E040AJTCL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 4A SC96 下载数据手册晶体管	+1：￥7.628131 +10：￥5.638183 +100：￥3.66482 +500：￥2.802509 +1000：￥2.504018	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 37 毫欧 4A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.3 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 480 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT3 封装/外壳： SC-96 温度： 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RQ5E040AJTCL ROHM(罗姆) 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin TSMT T/R 下载数据手册未分类	+90：￥3.363394 +129：￥2.342845 +200：￥2.330352 +500：￥1.825844 +1000：￥1.585601	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	RQ5E040AJTCL ROHM(罗姆) 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin TSMT T/R 下载数据手册未分类	+360：￥2.093954 +500：￥2.018039 +1000：￥1.952692	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RQ5E040AJTCL ROHM(罗姆) 授权代理品牌	Days to ship 3 下载数据手册未分类	+5：￥3.154213 +50：￥2.668218 +100：￥1.858222 +200：￥1.848693 +500：￥1.448459	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

RQ5E040AJTCL参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	4A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	37 毫欧 4A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.5V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	4.3 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	480 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1W（Ta）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TSMT3
封装/外壳:	SC-96
温度:	150°C（TJ）