RTR025P02HZGTL厂家价格_数据手册

搜索 RTR025P02HZGTL 共 8 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RTR025P02HZGTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥10.9384 +10：￥9.29764 +30：￥7.65688 +100：￥6.8365 +500：￥6.28958	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 95 毫欧 2.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 630 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 700mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT3 封装/外壳： SC-96 温度： 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RTR025P02HZGTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT3 下载数据手册未分类	+1：￥6.091688 +10：￥5.104414 +30：￥4.558263 +100：￥3.949094 +500：￥3.676019	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 95 毫欧 2.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 630 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 700mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT3 封装/外壳： SC-96 温度： 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RTR025P02HZGTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT3 下载数据手册未分类	+1：￥8.534293 +10：￥7.511692 +100：￥5.555424 +500：￥4.410152 +1000：￥3.520837	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 95 毫欧 2.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 630 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 700mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT3 封装/外壳： SC-96 温度： 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RTR025P02HZGTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.826402 +6000：￥1.717646	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 95 毫欧 2.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 630 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 700mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT3 封装/外壳： SC-96 温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
RTR025P02HZGTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥4.53574 +6000：￥4.193662 +9000：￥4.019412 +15000：￥3.843783	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 95 毫欧 2.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 630 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 700mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT3 封装/外壳： SC-96 温度： 150°C（TJ）
RTR025P02HZGTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥18.052389 +10：￥11.275094 +100：￥7.410659 +500：￥5.749839 +1000：￥5.215152	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SC-96 供应商器件封装： TSMT3
RTR025P02HZGTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥18.052389 +10：￥11.275094 +100：￥7.410659 +500：￥5.749839 +1000：￥5.215152	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SC-96 供应商器件封装： TSMT3

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RTR025P02HZGTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT3 下载数据手册未分类	+1：￥16.417064 +10：￥10.961293 +100：￥7.711047 +500：￥6.235168 +1000：￥5.538688	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 95 毫欧 2.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 630 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 700mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT3 封装/外壳： SC-96 温度： 150°C（TJ）

RTR025P02HZGTL参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	2.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	95 毫欧 2.5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	7 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	630 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	700mW（Ta）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TSMT3
封装/外壳:	SC-96
温度:	150°C（TJ）