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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RUR020N02TL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 2A TSMT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+20：￥1.900547 +100：￥1.285262 +800：￥0.943437 +3000：￥0.68365 +6000：￥0.649528	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 105 毫欧 2A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 180 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 540mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT3 封装/外壳： SC-96 温度： 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RUR020N02TL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 2A TSMT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.056052 +6000：￥0.987947 +15000：￥0.919786 +30000：￥0.872095	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 105 毫欧 2A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 180 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 540mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT3 封装/外壳： SC-96 温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
RUR020N02TL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 2A TSMT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥2.583382 +6000：￥2.416782 +15000：￥2.250039 +30000：￥2.133375	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 105 毫欧 2A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 180 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 540mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT3 封装/外壳： SC-96 温度： 150°C（TJ）
RUR020N02TL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 2A TSMT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.318362 +10：￥6.227783 +100：￥4.333619 +500：￥3.383379 +1000：￥2.750126	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SC-96 供应商器件封装： TSMT3
RUR020N02TL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 2A TSMT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.318362 +10：￥6.227783 +100：￥4.333619 +500：￥3.383379 +1000：￥2.750126	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SC-96 供应商器件封装： TSMT3

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RUR020N02TL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 2A TSMT3 下载数据手册未分类	+1：￥8.408383 +10：￥7.324994 +100：￥5.481619 +500：￥4.301211 +1000：￥3.331012	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 105 毫欧 2A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 180 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 540mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT3 封装/外壳： SC-96 温度： 150°C（TJ）

RUR020N02TL参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	1.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	105 毫欧 2A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	2 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	180 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	540mW（Ta）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TSMT3
封装/外壳:	SC-96
温度:	150°C（TJ）