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自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
RN1427TE85LF_双极晶体管
授权代理品牌

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI

双极晶体管

+3000:

¥0.604169

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 800 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

电阻器 - 基极 (R1): 2.2 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 10 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 90 100mA,1V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 250mV 1mA,50mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 300 MHz

功率 - 最大值: 200 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装: S-Mini

温度:

Digi-Key
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RN1427TE85LF_双极晶体管
授权代理品牌

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI

双极晶体管

+3000:

¥1.477958

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 800 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

电阻器 - 基极 (R1): 2.2 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 10 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 90 100mA,1V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 250mV 1mA,50mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 300 MHz

功率 - 最大值: 200 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装: S-Mini

温度:

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
RN1427TE85LF_晶体管
RN1427TE85LF
授权代理品牌

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI

晶体管

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库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 800 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

电阻器 - 基极 (R1): 2.2 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 10 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 90 100mA,1V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 250mV 1mA,50mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 300 MHz

功率 - 最大值: 200 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装: S-Mini

温度:

RN1427TE85LF参数规格

属性 参数值
品牌: Toshiba Semiconductor and Storage
包装: 卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: NPN - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 800 mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V
电阻器 - 基极 (R1): 2.2 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2): 10 kOhms
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 90 100mA,1V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 250mV 1mA,50mA
电流 - 集电极截止(最大值): 500nA
频率 - 跃迁: 300 MHz
功率 - 最大值: 200 mW
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装: S-Mini
温度: