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	RU1J002YNTCL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 50V 0.2A UMT3F 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.459478 +10：￥0.424132 +30：￥0.417065 +100：￥0.395853	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 50 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 0.9V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.2 欧姆 200mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 800mV 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 26 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： UMT3F 封装/外壳： SC-85 温度： 150°C（TJ）

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	RU1J002YNTCL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 50V 0.2A UMT3F 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+20：￥0.782144 +100：￥0.528891 +800：￥0.388289 +3000：￥0.281325 +6000：￥0.267289	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 50 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 0.9V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.2 欧姆 200mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 800mV 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 26 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： UMT3F 封装/外壳： SC-85 温度： 150°C（TJ）

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	RU1J002YNTCL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 50V 0.2A UMT3F 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.391314	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 50 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 0.9V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.2 欧姆 200mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 800mV 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 26 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： UMT3F 封装/外壳： SC-85 温度： 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
RU1J002YNTCL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 50V 0.2A UMT3F 下载数据手册未分类	+3000：￥0.56814	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 50 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 0.9V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.2 欧姆 200mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 800mV 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 26 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： UMT3F 封装/外壳： SC-85 温度： 150°C（TJ）
RU1J002YNTCL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 50V 0.2A UMT3F 下载数据手册未分类	+1：￥0.943321 +30：￥0.306606 +100：￥0.25338 +500：￥0.239256 +1500：￥0.230297	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 50 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 0.9V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.2 欧姆 200mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 800mV 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 26 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： UMT3F 封装/外壳： SC-85 温度： 150°C（TJ）
RU1J002YNTCL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 50V 0.2A UMT3F 下载数据手册未分类	+65：￥2.099051 +100：￥1.108404 +500：￥0.730334 +1000：￥0.499626 +3000：￥0.3793	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 50 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 0.9V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.2 欧姆 200mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 800mV 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 26 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： UMT3F 封装/外壳： SC-85 温度： 150°C（TJ）
RU1J002YNTCL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 50V 0.2A UMT3F 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.473585	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 50 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 0.9V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.2 欧姆 200mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 800mV 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 26 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： UMT3F 封装/外壳： SC-85 温度： 150°C（TJ）
RU1J002YNTCL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 50V 0.2A UMT3F 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.432793 +9000：￥0.415 +15000：￥0.407883	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 50 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 0.9V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.2 欧姆 200mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 800mV 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 26 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： UMT3F 封装/外壳： SC-85 温度： 150°C（TJ）
RU1J002YNTCL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 50V 0.2A UMT3F 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+500：￥0.560163 +1000：￥0.549733 +2000：￥0.494147	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 50 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 0.9V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.2 欧姆 200mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 800mV 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 26 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： UMT3F 封装/外壳： SC-85 温度： 150°C（TJ）

自营国内现货

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	RU1J002YNTCL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 50V 0.2A UMT3F 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.275672 +6000：￥0.24659 +9000：￥0.231707 +15000：￥0.215009 +21000：￥0.205127	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 50 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 0.9V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.2 欧姆 200mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 800mV 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 26 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： UMT3F 封装/外壳： SC-85 温度： 150°C（TJ）

RU1J002YNTCL参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	50 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	200mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	0.9V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	2.2 欧姆 200mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	800mV 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	-
Vgs（最大值）:	±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	26 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	150mW（Ta）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	UMT3F
封装/外壳:	SC-85
温度:	150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
RU1J002YNTCL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 50V 0.2A UMT3F 下载数据手册未分类	+3000：￥0.56814	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 50 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 0.9V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.2 欧姆 200mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 800mV 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 26 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： UMT3F 封装/外壳： SC-85 温度： 150°C（TJ）
RU1J002YNTCL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 50V 0.2A UMT3F 下载数据手册未分类	+1：￥0.943321 +30：￥0.306606 +100：￥0.25338 +500：￥0.239256 +1500：￥0.230297	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 50 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 0.9V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.2 欧姆 200mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 800mV 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 26 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： UMT3F 封装/外壳： SC-85 温度： 150°C（TJ）
RU1J002YNTCL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 50V 0.2A UMT3F 下载数据手册未分类	+65：￥2.099051 +100：￥1.108404 +500：￥0.730334 +1000：￥0.499626 +3000：￥0.3793	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 50 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 0.9V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.2 欧姆 200mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 800mV 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 26 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： UMT3F 封装/外壳： SC-85 温度： 150°C（TJ）
RU1J002YNTCL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 50V 0.2A UMT3F 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.473585	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 50 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 0.9V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.2 欧姆 200mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 800mV 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 26 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： UMT3F 封装/外壳： SC-85 温度： 150°C（TJ）
RU1J002YNTCL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 50V 0.2A UMT3F 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.432793 +9000：￥0.415 +15000：￥0.407883	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 50 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 0.9V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.2 欧姆 200mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 800mV 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 26 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： UMT3F 封装/外壳： SC-85 温度： 150°C（TJ）
RU1J002YNTCL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 50V 0.2A UMT3F 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+500：￥0.560163 +1000：￥0.549733 +2000：￥0.494147	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 50 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 0.9V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.2 欧姆 200mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 800mV 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 26 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： UMT3F 封装/外壳： SC-85 温度： 150°C（TJ）