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	RHU003N03T106 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 300MA SOT-323 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5：￥1.413522 +50：￥1.20153 +150：￥0.989417 +500：￥0.812757 +3000：￥0.706761	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2 欧姆 300mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 20 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 200mW（Ta）工作温度： - 安装类型：表面贴装型供应商器件封装： UMT3 封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： -

自营现货库存

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	RHU003N03T106 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 300MA SOT-323 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5：￥0.777779 +50：￥0.640258 +150：￥0.571501 +500：￥0.519931 +3000：￥0.478675	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2 欧姆 300mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 20 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 200mW（Ta）工作温度： - 安装类型：表面贴装型供应商器件封装： UMT3 封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： -

自营国内现货

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	RHU003N03T106 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 300MA UMT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.544911	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2 欧姆 300mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 20 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 200mW（Ta）工作温度： - 安装类型：表面贴装型供应商器件封装： UMT3 封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： -

Digi-Key

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RHU003N03T106 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 300MA SOT-323 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.332996	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2 欧姆 300mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 20 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 200mW（Ta）工作温度： - 安装类型：表面贴装型供应商器件封装： UMT3 封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： -
RHU003N03T106 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 300MA SOT-323 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： - 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SC-70, SOT-323 供应商器件封装： UMT3
RHU003N03T106 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 300MA SOT-323 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： - 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SC-70, SOT-323 供应商器件封装： UMT3

Mouser

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	RHU003N03T106 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 300MA SOT-323 下载数据手册晶体管	+3000：￥1.426129 +9000：￥1.227135 +24000：￥1.177387 +45000：￥1.061306 +99000：￥1.044722	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2 欧姆 300mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 20 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 200mW（Ta）工作温度： - 安装类型：表面贴装型供应商器件封装： UMT3 封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： -

RHU003N03T106参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	300mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1.2 欧姆 300mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	-
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	20 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	200mW（Ta）
工作温度:	-
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	UMT3
封装/外壳:	SC-70，SOT-323
温度:	-