RYE002N05TCL厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RYE002N05TCL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 50V 0.2A EMT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+20：￥0.556237 +100：￥0.375221 +800：￥0.274549 +3000：￥0.201223 +6000：￥0.191059	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 50 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 0.9V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.2 欧姆 200mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 800mV 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 26 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： EMT3 封装/外壳： SC-75，SOT-416 温度： 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RYE002N05TCL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 50V 0.2A EMT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.17908	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 50 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 0.9V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.2 欧姆 200mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 800mV 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 26 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： EMT3 封装/外壳： SC-75，SOT-416 温度： 150°C（TJ）

自营国内现货

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	RYE002N05TCL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 50V 0.2A EMT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 50 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 0.9V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.2 欧姆 200mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 800mV 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 26 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： EMT3 封装/外壳： SC-75，SOT-416 温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
RYE002N05TCL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 50V 0.2A EMT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 50 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 0.9V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.2 欧姆 200mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 800mV 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 26 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： EMT3 封装/外壳： SC-75，SOT-416 温度： 150°C（TJ）
RYE002N05TCL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 50V 0.2A EMT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SC-75, SOT-416 供应商器件封装： EMT3
RYE002N05TCL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 50V 0.2A EMT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SC-75, SOT-416 供应商器件封装： EMT3

Mouser

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	RYE002N05TCL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 50V 0.2A EMT3 下载数据手册晶体管	+1：￥4.145737 +10：￥2.868851 +100：￥1.824125 +1000：￥0.945228 +3000：￥0.779399	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 50 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 0.9V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.2 欧姆 200mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 800mV 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 26 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： EMT3 封装/外壳： SC-75，SOT-416 温度： 150°C（TJ）

RYE002N05TCL参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	50 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	200mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	0.9V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	2.2 欧姆 200mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	800mV 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	-
Vgs（最大值）:	±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	26 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	150mW（Ta）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	EMT3
封装/外壳:	SC-75，SOT-416
温度:	150°C（TJ）