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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RCX700N20 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 70A TO220 下载数据手册	+1：￥47.65536 +100：￥27.544752 +500：￥17.463456	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装： Bulk 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 70A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 42.7mOhm 35A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 125 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6900 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.23W (Ta), 40W (Tc) 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-220FM 封装/外壳： TO-220-3 Full Pack 温度： 150°C (TJ)

自营国内现货

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	RCX700N20 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 70A TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥15.61923	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装： Bulk 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 70A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 42.7mOhm 35A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 125 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6900 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.23W (Ta), 40W (Tc) 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-220FM 封装/外壳： TO-220-3 Full Pack 温度： 150°C (TJ)

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RCX700N20 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 70A TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥38.208775	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装： Bulk 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 70A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 42.7mOhm 35A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 125 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6900 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.23W (Ta), 40W (Tc) 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-220FM 封装/外壳： TO-220-3 Full Pack 温度： 150°C (TJ)

Mouser

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	RCX700N20 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 70A TO220 下载数据手册晶体管	+：￥ +：￥ +：￥ +：￥	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装： Bulk 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 70A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 42.7mOhm 35A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 125 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6900 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.23W (Ta), 40W (Tc) 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-220FM 封装/外壳： TO-220-3 Full Pack 温度： 150°C (TJ)

RCX700N20参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	Bulk
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	Active
FET 类型:	N-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）:	200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	70A (Tc)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	42.7mOhm 35A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	125 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	6900 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.23W (Ta), 40W (Tc)
工作温度:	150°C (TJ)
安装类型:	Through Hole
供应商器件封装:	TO-220FM
封装/外壳:	TO-220-3 Full Pack
温度:	150°C (TJ)