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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RSQ020N03TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.834361 +200：￥0.731909 +500：￥0.707541 +1000：￥0.695412	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 134 毫欧 2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.1 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 110 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 600mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT6（SC-95）封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RSQ020N03TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6 下载数据手册	+1：￥7.746336 +100：￥4.392288 +1500：￥2.784672 +3000：￥2.074608	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 134 毫欧 2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.1 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 110 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 600mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT6（SC-95）封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RSQ020N03TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.449006	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 134 毫欧 2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.1 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 110 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 600mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT6（SC-95）封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
RSQ020N03TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥3.941541 +6000：￥3.635568 +9000：￥3.479522 +15000：￥3.304353 +21000：￥3.250961	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 134 毫欧 2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.1 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 110 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 600mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT6（SC-95）封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： 150°C（TJ）
RSQ020N03TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.791127 +10：￥9.729933 +100：￥6.475913 +500：￥5.027744 +1000：￥4.549356	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供应商器件封装： TSMT6 (SC-95)
RSQ020N03TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.791127 +10：￥9.729933 +100：￥6.475913 +500：￥5.027744 +1000：￥4.549356	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供应商器件封装： TSMT6 (SC-95)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RSQ020N03TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6 下载数据手册晶体管	+1：￥13.266314 +10：￥9.385918 +100：￥6.400997 +500：￥5.339692 +1000：￥4.543715	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 134 毫欧 2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.1 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 110 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 600mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT6（SC-95）封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RSQ020N03TR ROHM(罗姆) 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 30V 2A 6-Pin TSMT T/R 下载数据手册未分类	+443：￥6.107334	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	RSQ020N03TR ROHM(罗姆) 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 30V 2A 6-Pin TSMT T/R 下载数据手册未分类	+213：￥2.06746 +500：￥1.744113 +1000：￥1.646131	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RSQ020N03TR ROHM(罗姆) 授权代理品牌	Days to ship 3 下载数据手册未分类	+5：￥3.310023 +50：￥2.213154 +100：￥2.057846 +200：￥2.048139 +500：￥1.727812	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

RSQ020N03TR参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	134 毫欧 2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	3.1 nC 5 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	110 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	600mW（Ta）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TSMT6（SC-95）
封装/外壳:	SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
温度:	150°C（TJ）