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图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
RN1423TE85LF_双极晶体管
RN1423TE85LF
Toshiba(东芝)
授权代理品牌

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI

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双极晶体管
+1：

￥1.95899

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Toshiba Semiconductor and Storage

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 800 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V

电阻器 - 基极 (R1)： 4.7 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2)： 4.7 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 70 100mA，1V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 250mV 1mA，50mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA

频率 - 跃迁： 300 MHz

功率 - 最大值： 200 mW

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装： S-Mini

温度：

Digi-Key
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RN1423TE85LF_双极晶体管
RN1423TE85LF
Toshiba(东芝)
授权代理品牌

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI

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双极晶体管
+3000：

￥1.29633

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： Toshiba Semiconductor and Storage

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 800 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V

电阻器 - 基极 (R1)： 4.7 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2)： 4.7 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 70 100mA，1V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 250mV 1mA，50mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA

频率 - 跃迁： 300 MHz

功率 - 最大值： 200 mW

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装： S-Mini

温度：

RN1423TE85LF_未分类
RN1423TE85LF
Toshiba(东芝)
授权代理品牌

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI

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未分类
+3000：

￥1.26967

+6000：

￥1.199132

+15000：

￥1.093327

+30000：

￥1.022789

+75000：

￥0.998167

库存： 0

货期：7~10 天

Packaging： Tape & Reel (TR)

Package / Case： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Mounting Type： Surface Mount

Transistor Type： NPN - Pre-Biased

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic： 250mV @ 1mA, 50mA

Current - Collector Cutoff (Max)： 500nA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： 70 @ 100mA, 1V

Supplier Device Package： S-Mini

Part Status： Active

Current - Collector (Ic) (Max)： 800 mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 50 V

Power - Max： 200 mW

Frequency - Transition： 300 MHz

Resistor - Base (R1)： 4.7 kOhms

Resistor - Emitter Base (R2)： 4.7 kOhms

RN1423TE85LF_未分类
RN1423TE85LF
Toshiba(东芝)
授权代理品牌

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI

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+1：

￥5.722828

+10：

￥4.298776

+100：

￥2.680414

+500：

￥1.833967

+1000：

￥1.410744

库存： 0

货期：7~10 天

Packaging： Cut Tape (CT)

Package / Case： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Mounting Type： Surface Mount

Transistor Type： NPN - Pre-Biased

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic： 250mV @ 1mA, 50mA

Current - Collector Cutoff (Max)： 500nA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： 70 @ 100mA, 1V

Supplier Device Package： S-Mini

Part Status： Active

Current - Collector (Ic) (Max)： 800 mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 50 V

Power - Max： 200 mW

Frequency - Transition： 300 MHz

Resistor - Base (R1)： 4.7 kOhms

Resistor - Emitter Base (R2)： 4.7 kOhms

RN1423TE85LF_未分类
RN1423TE85LF
Toshiba(东芝)
授权代理品牌

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI

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￥4.298776

+100：

￥2.680414

+500：

￥1.833967

+1000：

￥1.410744

库存： 0

货期：7~10 天

Packaging： Digi-Reel®

Package / Case： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Mounting Type： Surface Mount

Transistor Type： NPN - Pre-Biased

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic： 250mV @ 1mA, 50mA

Current - Collector Cutoff (Max)： 500nA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： 70 @ 100mA, 1V

Supplier Device Package： S-Mini

Part Status： Active

Current - Collector (Ic) (Max)： 800 mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 50 V

Power - Max： 200 mW

Frequency - Transition： 300 MHz

Resistor - Base (R1)： 4.7 kOhms

Resistor - Emitter Base (R2)： 4.7 kOhms

Mouser
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RN1423TE85LF
Toshiba(东芝)
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TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI

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+1：

￥6.031299

+10：

￥4.530488

+100：

￥2.833307

+500：

￥1.935627

+1000：

￥1.486786

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： Toshiba Semiconductor and Storage

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 800 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V

电阻器 - 基极 (R1)： 4.7 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2)： 4.7 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 70 100mA，1V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 250mV 1mA，50mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA

频率 - 跃迁： 300 MHz

功率 - 最大值： 200 mW

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装： S-Mini

温度：

艾睿
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RN1423TE85LF
授权代理品牌

Trans Digital BJT NPN 50V 800mA 200mW 3-Pin S-Mini T/R

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未分类
+3000：

￥0.97496

+9000：

￥0.907115

+24000：

￥0.851833

+45000：

￥0.838014

库存： 0

货期：7~10 天

 暂无参数

RN1423TE85LF参数规格

属性 参数值
品牌: Toshiba Semiconductor and Storage
包装: 卷带（TR）
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: NPN - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 800 mA
电压 - 集射极击穿（最大值）: 50 V
电阻器 - 基极 (R1): 4.7 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2): 4.7 kOhms
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 70 100mA，1V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 250mV 1mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）: 500nA
频率 - 跃迁: 300 MHz
功率 - 最大值: 200 mW
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装: S-Mini
温度: