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搜索 RN2421(TE85L,F) 共 7 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RN2421(TE85L,F) Toshiba(东芝) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS PNP 50V 0.8A SMINI 下载数据手册双极晶体管	+10：￥1.808103 +200：￥1.222705 +800：￥0.897578 +3000：￥0.650375 +6000：￥0.617826	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：不适用于新设计晶体管类型： PNP - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 800 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 1 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 1 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 60 100mA，1V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 250mV 2mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 200 MHz 功率 - 最大值： 200 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： S-Mini 温度：

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RN2421(TE85L,F) Toshiba(东芝) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS PNP 50V 0.8A SMINI 下载数据手册双极晶体管	+1：￥1.909138	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：不适用于新设计晶体管类型： PNP - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 800 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 1 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 1 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 60 100mA，1V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 250mV 2mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 200 MHz 功率 - 最大值： 200 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： S-Mini 温度：

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RN2421(TE85L,F) Toshiba(东芝) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS PNP 50V 0.8A SMINI 下载数据手册双极晶体管	+3000：￥0.508778 +6000：￥0.457923 +15000：￥0.407012 +30000：￥0.381584 +75000：￥0.338362	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：不适用于新设计晶体管类型： PNP - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 800 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 1 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 1 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 60 100mA，1V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 250mV 2mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 200 MHz 功率 - 最大值： 200 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： S-Mini 温度：

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RN2421(TE85L,F) Toshiba(东芝) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS PNP 50V 0.8A SMINI 下载数据手册双极晶体管	+3000：￥1.244606 +6000：￥1.1202 +15000：￥0.995658 +30000：￥0.933455 +75000：￥0.827722	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：不适用于新设计晶体管类型： PNP - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 800 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 1 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 1 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 60 100mA，1V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 250mV 2mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 200 MHz 功率 - 最大值： 200 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： S-Mini 温度：
	RN2421(TE85L,F) Toshiba(东芝) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS PNP 50V 0.8A SMINI 下载数据手册双极晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 晶体管类型： Out of Bounds 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： S-Mini
	RN2421(TE85L,F) Toshiba(东芝) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS PNP 50V 0.8A SMINI 下载数据手册双极晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 晶体管类型： Out of Bounds 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： S-Mini

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RN2421(TE85L,F) Toshiba(东芝) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS PNP 50V 0.8A SMINI 下载数据手册晶体管	+1：￥6.657639 +10：￥5.050063 +100：￥3.150201 +500：￥2.159674 +1000：￥1.656291	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：不适用于新设计晶体管类型： PNP - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 800 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 1 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 1 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 60 100mA，1V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 250mV 2mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 200 MHz 功率 - 最大值： 200 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： S-Mini 温度：

RN2421(TE85L,F)参数规格

属性	参数值
品牌:	Toshiba Semiconductor and Storage
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	不适用于新设计
晶体管类型:	PNP - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:	800 mA
电压 - 集射极击穿（最大值）:	50 V
电阻器 - 基极 (R1):	1 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2):	1 kOhms
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:	60 100mA，1V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）:	250mV 2mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）:	500nA
频率 - 跃迁:	200 MHz
功率 - 最大值:	200 mW
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装:	S-Mini
温度: