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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RF4E110GNTR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 11A 8-HUML 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.734125 +10：￥3.156043 +30：￥2.630056	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11.3 毫欧 11A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 504 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： HUML2020L8 封装/外壳： 8-PowerUDFN 温度： 150°C（TJ）

自营现货库存

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	RF4E110GNTR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 11A 8-HUML 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.359981 +10：￥3.835472 +30：￥3.573217 +100：￥3.310963	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11.3 毫欧 11A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 504 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： HUML2020L8 封装/外壳： 8-PowerUDFN 温度： 150°C（TJ）

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	RF4E110GNTR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 11A 8-HUML 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.081106 +30000：￥1.042904	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11.3 毫欧 11A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 504 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： HUML2020L8 封装/外壳： 8-PowerUDFN 温度： 150°C（TJ）

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	RF4E110GNTR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 11A 8-HUML 下载数据手册	+1：￥9.603014 +100：￥5.550509 +1500：￥3.519072 +3000：￥2.544307	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11.3 毫欧 11A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 504 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： HUML2020L8 封装/外壳： 8-PowerUDFN 温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
RF4E110GNTR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 11A 8-HUML 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥2.710918 +6000：￥2.509588 +9000：￥2.406323 +15000：￥2.31392	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11.3 毫欧 11A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 504 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： HUML2020L8 封装/外壳： 8-PowerUDFN 温度： 150°C（TJ）
RF4E110GNTR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 11A 8-HUML 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.485154 +10：￥6.364232 +100：￥4.340224 +500：￥3.412514 +1000：￥3.10593	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerUDFN 供应商器件封装： HUML2020L8
RF4E110GNTR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 11A 8-HUML 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.485154 +10：￥6.364232 +100：￥4.340224 +500：￥3.412514 +1000：￥3.10593	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerUDFN 供应商器件封装： HUML2020L8

Mouser

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	RF4E110GNTR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 11A 8-HUML 下载数据手册晶体管	+1：￥6.301499 +10：￥5.455773 +100：￥3.963312 +500：￥2.885425 +1000：￥2.520601	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11.3 毫欧 11A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 504 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： HUML2020L8 封装/外壳： 8-PowerUDFN 温度： 150°C（TJ）

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	RF4E110GNTR ROHM(罗姆) 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin HUML EP T/R 下载数据手册未分类	+313：￥2.242309 +500：￥2.160948 +1000：￥2.091212	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RF4E110GNTR ROHM(罗姆) 授权代理品牌	Days to ship 3 下载数据手册未分类	+5：￥2.900983 +50：￥2.442933 +100：￥1.708145	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

RF4E110GNTR参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	11A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	11.3 毫欧 11A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	7.4 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	504 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2W（Ta）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	HUML2020L8
封装/外壳:	8-PowerUDFN
温度:	150°C（TJ）