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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	R6076ENZ4C13 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	NCH 600V 76A POWER MOSFET. R607 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥100.01376 +200：￥83.3448 +500：￥66.67584 +1000：￥55.5632	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装： Tube 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 76A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 42mOhm 44.4A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 260 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6500 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 735W (Tc) 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-247 封装/外壳： TO-247-3 温度： 150°C (TJ)

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	R6076ENZ4C13 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	NCH 600V 76A POWER MOSFET. R607 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥102.617993 +200：￥39.709699 +500：￥38.321936 +1000：￥37.633518	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装： Tube 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 76A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 42mOhm 44.4A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 260 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6500 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 735W (Tc) 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-247 封装/外壳： TO-247-3 温度： 150°C (TJ)

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	R6076ENZ4C13 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	NCH 600V 76A POWER MOSFET. R607 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+90：￥49.54635 +900：￥46.293424	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装： Tube 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 76A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 42mOhm 44.4A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 260 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6500 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 735W (Tc) 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-247 封装/外壳： TO-247-3 温度： 150°C (TJ)

自营国内现货

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	R6076ENZ4C13 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 76A TO247 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥113.684611 +10：￥104.864156 +100：￥89.545448 +500：￥81.298045	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装： Tube 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 76A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 42mOhm 44.4A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 260 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6500 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 735W (Tc) 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-247 封装/外壳： TO-247-3 温度： 150°C (TJ)

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	R6076ENZ4C13 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	NCH 600V 76A POWER MOSFET. R607 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥278.10268 +10：￥256.525512 +100：￥219.051893 +500：￥198.87656	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装： Tube 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 76A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 42mOhm 44.4A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 260 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6500 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 735W (Tc) 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-247 封装/外壳： TO-247-3 温度： 150°C (TJ)

Mouser

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	R6076ENZ4C13 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	NCH 600V 76A POWER MOSFET. R607 下载数据手册晶体管	+600：￥211.914471	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装： Tube 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 76A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 42mOhm 44.4A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 260 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6500 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 735W (Tc) 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-247 封装/外壳： TO-247-3 温度： 150°C (TJ)

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	R6076ENZ4C13 ROHM(罗姆) 授权代理品牌	Days to ship 3 下载数据手册未分类	+1：￥61.153398 +5：￥58.128808 +10：￥57.372662 +50：￥55.482294 +100：￥54.253554	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

R6076ENZ4C13参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	Tube
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	Active
FET 类型:	N-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）:	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	76A (Tc)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	42mOhm 44.4A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	260 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	6500 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	735W (Tc)
工作温度:	150°C (TJ)
安装类型:	Through Hole
供应商器件封装:	TO-247
封装/外壳:	TO-247-3
温度:	150°C (TJ)