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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RF4E100AJTCR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 10A HUML2020L8 下载数据手册	+1：￥12.041617 +100：￥6.960079 +1500：￥4.41267 +3000：￥3.190328	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 12.4 毫欧 10A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1460 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： HUML2020L8 封装/外壳： 8-PowerUDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
RF4E100AJTCR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 10A HUML2020L8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥5.229591	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 12.4 毫欧 10A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1460 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： HUML2020L8 封装/外壳： 8-PowerUDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
RF4E100AJTCR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 10A HUML2020L8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥12.330935 +10：￥11.012802 +100：￥8.59197 +500：￥7.097232 +1000：￥5.603064	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerUDFN 供应商器件封装： HUML2020L8
RF4E100AJTCR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 10A HUML2020L8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥12.330935 +10：￥11.012802 +100：￥8.59197 +500：￥7.097232 +1000：￥5.603064	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerUDFN 供应商器件封装： HUML2020L8

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RF4E100AJTCR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 10A HUML2020L8 下载数据手册未分类	+1：￥13.70245 +10：￥10.472587 +100：￥8.515093 +500：￥7.356912 +1000：￥6.002979	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 12.4 毫欧 10A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1460 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： HUML2020L8 封装/外壳： 8-PowerUDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

RF4E100AJTCR参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	10A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	12.4 毫欧 10A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.5V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	13 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1460 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	HUML2020L8
封装/外壳:	8-PowerUDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）