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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RV3CA01ZPT2CL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	RV3CA01ZP IS THE 0604 SIZE ULTRA 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.862836 +200：￥1.142337 +500：￥1.1042 +1000：￥1.085297	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.8 欧姆 100mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7.5 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 100mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： VML0604 封装/外壳： 3-XFDFN 温度： 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RV3CA01ZPT2CL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	RV3CA01ZP IS THE 0604 SIZE ULTRA 下载数据手册	+1：￥11.447654 +100：￥6.490886 +1000：￥3.32329 +4000：￥2.253139 +8000：￥1.703462	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.8 欧姆 100mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7.5 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 100mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： VML0604 封装/外壳： 3-XFDFN 温度： 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RV3CA01ZPT2CL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	RV3CA01ZP IS THE 0604 SIZE ULTRA 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+8000：￥0.994137 +16000：￥0.923127 +24000：￥0.901801 +56000：￥0.878834	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.8 欧姆 100mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7.5 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 100mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： VML0604 封装/外壳： 3-XFDFN 温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
RV3CA01ZPT2CL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	RV3CA01ZP IS THE 0604 SIZE ULTRA 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+8000：￥2.431923 +16000：￥2.258214 +24000：￥2.206043 +56000：￥2.14986	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.8 欧姆 100mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7.5 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 100mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： VML0604 封装/外壳： 3-XFDFN 温度： 150°C（TJ）
RV3CA01ZPT2CL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	RV3CA01ZP IS THE 0604 SIZE ULTRA 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.596175 +10：￥6.492579 +100：￥4.51614 +500：￥3.526345 +1000：￥2.866195	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 3-XFDFN 供应商器件封装： VML0604
RV3CA01ZPT2CL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	RV3CA01ZP IS THE 0604 SIZE ULTRA 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.596175 +10：￥6.492579 +100：￥4.51614 +500：￥3.526345 +1000：￥2.866195	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 3-XFDFN 供应商器件封装： VML0604

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RV3CA01ZPT2CL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	RV3CA01ZP IS THE 0604 SIZE ULTRA 下载数据手册晶体管	+1：￥8.683529 +10：￥7.42196 +100：￥5.17735 +500：￥4.03047 +1000：￥2.932739	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.8 欧姆 100mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7.5 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 100mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： VML0604 封装/外壳： 3-XFDFN 温度： 150°C（TJ）

RV3CA01ZPT2CL参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	100mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	1.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	3.8 欧姆 100mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	-
Vgs（最大值）:	±10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	7.5 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	100mW（Ta）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	VML0604
封装/外壳:	3-XFDFN
温度:	150°C（TJ）