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R6042JNZ4C13_晶体管-FET，MOSFET-单个
R6042JNZ4C13
Rohm Semiconductor(罗姆)
授权代理品牌
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￥136.435365

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￥92.265646

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￥67.726967

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￥49.077479

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国内：1~2 天

品牌： Rohm Semiconductor

包装： Tube

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

FET 类型： N-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 42A (Tc)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 15V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 104mOhm 21A, 15V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 7V 5.5mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 100 nC 15 V

Vgs（最大值）： ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3500 pF 100 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 495W (Tc)

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Through Hole

供应商器件封装： TO-247G

封装/外壳： TO-247-3

温度： -55°C # 150°C (TJ)

自营 国内现货
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R6042JNZ4C13_晶体管-FET，MOSFET-单个
R6042JNZ4C13
Rohm Semiconductor(罗姆)
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￥63.202964

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￥47.483952

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￥43.554227

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Rohm Semiconductor

包装： Tube

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

FET 类型： N-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 42A (Tc)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 15V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 104mOhm 21A, 15V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 7V 5.5mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 100 nC 15 V

Vgs（最大值）： ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3500 pF 100 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 495W (Tc)

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Through Hole

供应商器件封装： TO-247G

封装/外壳： TO-247-3

温度： -55°C # 150°C (TJ)

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R6042JNZ4C13_晶体管-FET，MOSFET-单个
R6042JNZ4C13
Rohm Semiconductor(罗姆)
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￥154.611196

+100：

￥130.577305

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￥106.54518

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： Rohm Semiconductor

包装： Tube

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

FET 类型： N-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 42A (Tc)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 15V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 104mOhm 21A, 15V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 7V 5.5mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 100 nC 15 V

Vgs（最大值）： ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3500 pF 100 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 495W (Tc)

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Through Hole

供应商器件封装： TO-247G

封装/外壳： TO-247-3

温度： -55°C # 150°C (TJ)

Mouser
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R6042JNZ4C13_晶体管
R6042JNZ4C13
Rohm Semiconductor(罗姆)
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MOSFET N-CH 600V 42A TO247G

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晶体管
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货期：7~10 天

品牌： Rohm Semiconductor

包装： Tube

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

FET 类型： N-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 42A (Tc)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 15V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 104mOhm 21A, 15V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 7V 5.5mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 100 nC 15 V

Vgs（最大值）： ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3500 pF 100 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 495W (Tc)

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Through Hole

供应商器件封装： TO-247G

封装/外壳： TO-247-3

温度： -55°C # 150°C (TJ)

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R6042JNZ4C13_未分类
R6042JNZ4C13
ROHM(罗姆)
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MOSFET, N-CH, 42A, 600V, TO-247

未分类
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￥118.730743

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￥90.474787

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￥81.99316

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￥75.20785

库存： 0

货期：7~10 天

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R6042JNZ4C13参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: Tube
封装/外壳: *
系列:
零件状态: Active
FET 类型: N-Channel
技术: MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）: 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 42A (Tc)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 104mOhm 21A, 15V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 7V 5.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 100 nC 15 V
Vgs（最大值）: ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 3500 pF 100 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 495W (Tc)
工作温度: -55°C # 150°C (TJ)
安装类型: Through Hole
供应商器件封装: TO-247G
封装/外壳: TO-247-3
温度: -55°C # 150°C (TJ)