RQ5C020TPTL厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

搜索 RQ5C020TPTL 共 12 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RQ5C020TPTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 2A TSMT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥2.148355 +5000：￥1.193544	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 135 毫欧 2A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.9 nC 2.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 430 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 700mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT3 封装/外壳： SC-96 温度： 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RQ5C020TPTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 2A TSMT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+60：￥4.702752 +100：￥3.725741	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 135 毫欧 2A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.9 nC 2.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 430 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 700mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT3 封装/外壳： SC-96 温度： 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RQ5C020TPTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 2A TSMT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.027292 +6000：￥0.975082 +9000：￥0.905429 +30000：￥0.88451	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 135 毫欧 2A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.9 nC 2.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 430 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 700mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT3 封装/外壳： SC-96 温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
RQ5C020TPTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 2A TSMT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥2.513028 +6000：￥2.385307 +9000：￥2.214917 +30000：￥2.163743	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 135 毫欧 2A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.9 nC 2.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 430 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 700mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT3 封装/外壳： SC-96 温度： 150°C（TJ）
RQ5C020TPTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 2A TSMT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.512999 +10：￥6.378961 +100：￥4.429834 +500：￥3.458531 +1000：￥2.811138	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SC-96 供应商器件封装： TSMT3
RQ5C020TPTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 2A TSMT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.512999 +10：￥6.378961 +100：￥4.429834 +500：￥3.458531 +1000：￥2.811138	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SC-96 供应商器件封装： TSMT3

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RQ5C020TPTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 2A TSMT3 下载数据手册未分类	+1：￥8.426402 +10：￥6.757327 +100：￥5.039639 +500：￥3.953928 +1000：￥3.224719	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 135 毫欧 2A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.9 nC 2.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 430 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 700mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT3 封装/外壳： SC-96 温度： 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RQ5C020TPTL ROHM(罗姆) 授权代理品牌	Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin TSMT T/R 下载数据手册未分类	+247：￥3.104766 +250：￥2.980201 +500：￥2.872492 +1000：￥2.778836 +2500：￥2.696417	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	RQ5C020TPTL ROHM(罗姆) 授权代理品牌	Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin TSMT T/R 下载数据手册未分类	+247：￥3.104766 +250：￥2.980201 +500：￥2.872492 +1000：￥2.778836 +2500：￥2.696417	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RQ5C020TPTL ROHM(罗姆) 授权代理品牌	Days to ship 3 下载数据手册未分类	+5：￥2.179408 +50：￥1.44978 +100：￥1.355025 +200：￥1.345549 +500：￥1.137084	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

RQ5C020TPTL参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	135 毫欧 2A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	4.9 nC 2.5 V
Vgs（最大值）:	±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	430 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	700mW（Ta）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TSMT3
封装/外壳:	SC-96
温度:	150°C（TJ）