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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RS1E240GNTB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 24A 8-HSOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥13.793879 +10：￥11.495 +30：￥9.196 +100：￥7.663293	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 24A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.3 毫欧 24A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1500 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3W（Ta），27.4W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-HSOP 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： 150°C（TJ）

自营现货库存

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	RS1E240GNTB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 24A 8-HSOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.228544 +10：￥5.638471 +30：￥5.32158 +100：￥4.950053	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 24A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.3 毫欧 24A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1500 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3W（Ta），27.4W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-HSOP 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： 150°C（TJ）

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	RS1E240GNTB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 24A 8-HSOP 下载数据手册	+1：￥15.00048 +100：￥8.67024 +1250：￥5.496912 +2500：￥3.974256	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 24A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.3 毫欧 24A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1500 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3W（Ta），27.4W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-HSOP 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： 150°C（TJ）

自营国内现货

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	RS1E240GNTB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 24A 8HSOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥2.057795 +5000：￥1.949483 +12500：￥1.805048 +25000：￥1.787192	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 24A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.3 毫欧 24A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1500 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3W（Ta），27.4W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-HSOP 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
RS1E240GNTB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 24A 8-HSOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥5.03391 +5000：￥4.768952 +12500：￥4.415628 +25000：￥4.371944	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 24A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.3 毫欧 24A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1500 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3W（Ta），27.4W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-HSOP 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： 150°C（TJ）
RS1E240GNTB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 24A 8-HSOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥13.276431 +10：￥11.477691 +100：￥7.948729 +500：￥6.64107 +1000：￥5.652049	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： 8-HSOP
RS1E240GNTB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 24A 8-HSOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥13.276431 +10：￥11.477691 +100：￥7.948729 +500：￥6.64107 +1000：￥5.652049	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： 8-HSOP

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RS1E240GNTB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 24A 8-HSOP 下载数据手册未分类	+1：￥15.176889 +10：￥12.304702 +100：￥9.089813 +500：￥7.588444 +1000：￥6.462418	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 24A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.3 毫欧 24A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1500 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3W（Ta），27.4W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-HSOP 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RS1E240GNTB ROHM(罗姆) 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin HSOP EP T/R 下载数据手册未分类	+96：￥3.201744	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	RS1E240GNTB ROHM(罗姆) 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin HSOP EP T/R 下载数据手册未分类	+106：￥7.430006 +250：￥7.131769 +500：￥6.874897 +1000：￥6.650737 +2500：￥6.454475	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

RS1E240GNTB参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	24A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	3.3 毫欧 24A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	23 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1500 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	3W（Ta），27.4W（Tc）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-HSOP
封装/外壳:	8-PowerTDFN
温度:	150°C（TJ）