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图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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![]() | R6025JNZ4C13 授权代理品牌 | +1: ¥90.956789 +5: ¥61.51035 +15: ¥45.151271 +30: ¥32.718279 +60: ¥31.082359 |
Mouser
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R6025JNZ4C13 授权代理品牌 | +: ¥ +: ¥ +: ¥ |
R6025JNZ4C13参数规格
属性 | 参数值 |
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品牌: | Rohm Semiconductor |
包装: | Tube |
封装/外壳: | * |
系列: | |
零件状态: | Active |
FET 类型: | N-Channel |
技术: | MOSFET (Metal Oxide) |
漏源电压(Vdss): | 600 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 25A (Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 15V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 182mOhm 12.5A, 15V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 7V 4.5mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 57 nC 15 V |
Vgs(最大值): | ±30V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 1900 pF 100 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 306W (Tc) |
工作温度: | -55°C # 150°C (TJ) |
安装类型: | Through Hole |
供应商器件封装: | TO-247G |
封装/外壳: | TO-247-3 |
温度: | -55°C # 150°C (TJ) |