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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
R6025JNZ4C13_晶体管-FET,MOSFET-单个
R6025JNZ4C13
授权代理品牌

R6025JNZ4 IS A POWER MOSFET WITH

晶体管-FET,MOSFET-单个

+1:

¥90.956789

+5:

¥61.51035

+15:

¥45.151271

+30:

¥32.718279

+60:

¥31.082359

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: Tube

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Active

FET 类型: N-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 25A (Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 15V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 182mOhm 12.5A, 15V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 7V 4.5mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 57 nC 15 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1900 pF 100 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 306W (Tc)

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Through Hole

供应商器件封装: TO-247G

封装/外壳: TO-247-3

温度: -55°C # 150°C (TJ)

Digi-Key
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R6025JNZ4C13_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

R6025JNZ4 IS A POWER MOSFET WITH

晶体管-FET,MOSFET-单个

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¥60.365955

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¥58.478435

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: Tube

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Active

FET 类型: N-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 25A (Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 15V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 182mOhm 12.5A, 15V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 7V 4.5mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 57 nC 15 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1900 pF 100 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 306W (Tc)

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Through Hole

供应商器件封装: TO-247G

封装/外壳: TO-247-3

温度: -55°C # 150°C (TJ)

Mouser
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R6025JNZ4C13_晶体管
R6025JNZ4C13
授权代理品牌

R6025JNZ4 IS A POWER MOSFET WITH

晶体管

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品牌: Rohm Semiconductor

包装: Tube

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Active

FET 类型: N-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 25A (Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 15V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 182mOhm 12.5A, 15V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 7V 4.5mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 57 nC 15 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1900 pF 100 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 306W (Tc)

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Through Hole

供应商器件封装: TO-247G

封装/外壳: TO-247-3

温度: -55°C # 150°C (TJ)

R6025JNZ4C13参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: Tube
封装/外壳: *
系列:
零件状态: Active
FET 类型: N-Channel
技术: MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压(Vdss): 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 25A (Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 182mOhm 12.5A, 15V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 7V 4.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 57 nC 15 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1900 pF 100 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 306W (Tc)
工作温度: -55°C # 150°C (TJ)
安装类型: Through Hole
供应商器件封装: TO-247G
封装/外壳: TO-247-3
温度: -55°C # 150°C (TJ)