RSQ035P03TR厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RSQ035P03TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1500：￥1.66496 +3000：￥1.206491 +15000：￥1.085854	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 65 毫欧 3.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9.2 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 780 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.25W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT6（SC-95）封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RSQ035P03TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT6 下载数据手册未分类	+1：￥2.374393 +10：￥1.933271 +30：￥1.744218 +100：￥1.508323 +500：￥1.261505	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 65 毫欧 3.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9.2 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 780 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.25W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT6（SC-95）封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： 150°C（TJ）

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	RSQ035P03TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.9645	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 65 毫欧 3.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9.2 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 780 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.25W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT6（SC-95）封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： 150°C（TJ）

自营国内现货

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	RSQ035P03TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.588148	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 65 毫欧 3.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9.2 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 780 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.25W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT6（SC-95）封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
RSQ035P03TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥3.885029	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 65 毫欧 3.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9.2 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 780 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.25W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT6（SC-95）封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： 150°C（TJ）
RSQ035P03TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供应商器件封装： TSMT6 (SC-95)
RSQ035P03TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供应商器件封装： TSMT6 (SC-95)

Mouser

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	RSQ035P03TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT6 下载数据手册未分类	+1：￥10.239182 +10：￥9.131107 +100：￥7.013139 +500：￥5.540379 +1000：￥4.432304	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 65 毫欧 3.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9.2 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 780 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.25W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT6（SC-95）封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： 150°C（TJ）

RSQ035P03TR参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	3.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	65 毫欧 3.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	9.2 nC 5 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	780 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1.25W（Ta）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TSMT6（SC-95）
封装/外壳:	SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
温度:	150°C（TJ）