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RS3E075ATTB_null
RS3E075ATTB
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MOSFET P-CH 30V 7.5A 8SOP

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¥9.77328

+100:

¥5.541408

+1250:

¥3.513312

+2500:

¥2.617344

库存: 1000 +

国内:1~2 天

系列: -

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

供应商器件封装: 8-SOP

自营 国内现货
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RS3E075ATTB_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
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¥2.04336

库存: 1000 +

国内:1~2 天

系列: -

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

供应商器件封装: 8-SOP

Digi-Key
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RS3E075ATTB_晶体管-FET,MOSFET-单个
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¥4.9986

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

供应商器件封装: 8-SOP

RS3E075ATTB_晶体管-FET,MOSFET-单个
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品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 不适用于新设计

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): -

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 23.5 毫欧 7.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 25 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1250 pF 15 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2W(Ta)

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-SOP-J

封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

温度: 150°C(TJ)

RS3E075ATTB_晶体管-FET,MOSFET-单个
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系列: -

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

供应商器件封装: 8-SOP

Mouser
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RS3E075ATTB_未分类
RS3E075ATTB
授权代理品牌

MOSFET P-CH 30V 7.5A 8SOP

未分类

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¥12.62365

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¥11.178943

+100:

¥8.570055

+500:

¥6.774691

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¥5.42817

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

供应商器件封装: 8-SOP

RS3E075ATTB参数规格

属性 参数值
系列: -
工作温度: 150°C (TJ)
安装类型: Surface Mount
封装/外壳: 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)
供应商器件封装: 8-SOP