搜索 RF4L055GNTCR 共 4 条相关记录
Digi-Key
| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格（含税） | 库存 | 关键参数 |
|---|---|---|---|---|---|
| 授权代理品牌 | +3000： ￥5.280845 +6000： ￥5.016851 +15000： ￥4.828166 | ||||
| 授权代理品牌 | +1： ￥12.413509 +10： ￥11.130781 +100： ￥8.675663 +500： ￥7.167009 +1000： ￥5.658077 | 系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerUDFN 供应商器件封装： HUML2020L8 | |||
| 授权代理品牌 | +1： ￥12.413509 +10： ￥11.130781 +100： ￥8.675663 +500： ￥7.167009 +1000： ￥5.658077 | 系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerUDFN 供应商器件封装： HUML2020L8 |
Mouser
| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格（含税） | 库存 | 关键参数 |
|---|---|---|---|---|---|
RF4L055GNTCR 授权代理品牌 | +1： ￥15.169095 +10： ￥13.586941 +100： ￥10.602055 +500： ￥9.378741 +1000： ￥7.405129 |
RF4L055GNTCR参数规格
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | Rohm Semiconductor |
| 包装: | 剪切带（CT）,卷带（TR） |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 5.5A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 43 毫欧 5.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2.7V 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 7.8 nC 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 400 pF 30 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 2W（Ta） |
| 工作温度: | 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | HUML2020L8 |
| 封装/外壳: | 8-PowerUDFN |
| 温度: | 150°C（TJ） |