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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RD3P050SNTL1 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	NCH 100V 5A POWER MOSFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.420614 +10：￥3.757534 +30：￥3.094454 +100：￥2.762914 +500：￥2.541847	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 190 毫欧 5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 530 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 15W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： 150°C（TJ）

自营现货库存

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	RD3P050SNTL1 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	NCH 100V 5A POWER MOSFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.995553 +10：￥1.785495 +30：￥1.753986 +100：￥1.428396	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 190 毫欧 5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 530 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 15W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： 150°C（TJ）

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	RD3P050SNTL1 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	NCH 100V 5A POWER MOSFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.225376	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 190 毫欧 5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 530 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 15W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： 150°C（TJ）

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	RD3P050SNTL1 UDU SEMICONDUTOR 授权代理品牌	RD3P050SNTL1 UDU SEMICONDUTOR 下载数据手册未分类	+500：￥1.56275 +1000：￥1.486711 +2000：￥1.412611	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

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	RD3P050SNTL1 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	NCH 100V 5A POWER MOSFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥2.186023 +5000：￥2.081893 +12500：￥1.985809 +25000：￥1.982022	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 190 毫欧 5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 530 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 15W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
RD3P050SNTL1 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	NCH 100V 5A POWER MOSFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥5.34759 +5000：￥5.09286 +12500：￥4.857814 +25000：￥4.848552	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 190 毫欧 5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 530 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 15W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： 150°C（TJ）
RD3P050SNTL1 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	NCH 100V 5A POWER MOSFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥12.881224 +10：￥10.579972 +100：￥8.226615 +500：￥6.973519 +1000：￥5.68062	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： TO-252
RD3P050SNTL1 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	NCH 100V 5A POWER MOSFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥12.881224 +10：￥10.579972 +100：￥8.226615 +500：￥6.973519 +1000：￥5.68062	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： TO-252

Mouser

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	RD3P050SNTL1 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	NCH 100V 5A POWER MOSFET 下载数据手册晶体管	+1：￥14.725111 +10：￥11.962083 +100：￥9.414144 +500：￥7.974723 +1000：￥6.502212	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 190 毫欧 5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 530 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 15W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： 150°C（TJ）

RD3P050SNTL1参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	190 毫欧 5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	14 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	530 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	15W（Tc）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TO-252
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	150°C（TJ）