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R6025JNXC7G_晶体管-FET，MOSFET-单个
R6025JNXC7G
Rohm Semiconductor(罗姆)
授权代理品牌

R6025JNX IS A POWER MOSFET WITH

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晶体管-FET，MOSFET-单个
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￥24.800281

+200：

￥20.666921

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￥16.53344

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￥13.777907

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国内：1~2 天

品牌： Rohm Semiconductor

包装： Tube

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

FET 类型： N-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 25A (Tc)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 15V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 182mOhm 12.5A, 15V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 7V 4.5mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 57 nC 15 V

Vgs（最大值）： ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1900 pF 100 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 85W (Tc)

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Through Hole

供应商器件封装： TO-220FM

封装/外壳： TO-220-3 Full Pack

温度： -55°C # 150°C (TJ)

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R6025JNXC7G_晶体管-FET，MOSFET-单个
R6025JNXC7G
Rohm Semiconductor(罗姆)
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R6025JNX IS A POWER MOSFET WITH

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晶体管-FET，MOSFET-单个
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￥65.914478

+500：

￥56.11196

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￥47.323268

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： Rohm Semiconductor

包装： Tube

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

FET 类型： N-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 25A (Tc)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 15V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 182mOhm 12.5A, 15V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 7V 4.5mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 57 nC 15 V

Vgs（最大值）： ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1900 pF 100 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 85W (Tc)

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Through Hole

供应商器件封装： TO-220FM

封装/外壳： TO-220-3 Full Pack

温度： -55°C # 150°C (TJ)

Mouser
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R6025JNXC7G_晶体管
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晶体管
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￥76.601111

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￥60.758238

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￥52.101822

+500：

￥50.958522

+1000：

￥50.795193

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： Rohm Semiconductor

包装： Tube

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

FET 类型： N-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 25A (Tc)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 15V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 182mOhm 12.5A, 15V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 7V 4.5mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 57 nC 15 V

Vgs（最大值）： ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1900 pF 100 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 85W (Tc)

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Through Hole

供应商器件封装： TO-220FM

封装/外壳： TO-220-3 Full Pack

温度： -55°C # 150°C (TJ)

R6025JNXC7G参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: Tube
封装/外壳: *
系列:
零件状态: Active
FET 类型: N-Channel
技术: MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）: 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 25A (Tc)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 182mOhm 12.5A, 15V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 7V 4.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 57 nC 15 V
Vgs（最大值）: ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1900 pF 100 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 85W (Tc)
工作温度: -55°C # 150°C (TJ)
安装类型: Through Hole
供应商器件封装: TO-220FM
封装/外壳: TO-220-3 Full Pack
温度: -55°C # 150°C (TJ)