RTR030N05TL厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RTR030N05TL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 45V 3A TSMT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1500：￥1.66496 +3000：￥1.206491 +15000：￥1.085854	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 45 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 67 毫欧 3A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.2 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 510 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT3 封装/外壳： SC-96 温度： 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RTR030N05TL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 45V 3A TSMT3 下载数据手册	+1：￥2.503724 +10：￥2.111191 +30：￥1.952056 +100：￥1.782312 +500：￥1.665613	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 45 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 67 毫欧 3A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.2 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 510 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT3 封装/外壳： SC-96 温度： 150°C（TJ）

自营国内现货

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	RTR030N05TL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 45V 3A TSMT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.200674 +6000：￥1.123211 +15000：￥1.045748 +30000：￥0.991502	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 45 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 67 毫欧 3A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.2 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 510 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT3 封装/外壳： SC-96 温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
RTR030N05TL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 45V 3A TSMT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥2.937164 +6000：￥2.747672 +15000：￥2.558177 +30000：￥2.425475	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 45 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 67 毫欧 3A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.2 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 510 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT3 封装/外壳： SC-96 温度： 150°C（TJ）
RTR030N05TL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 45V 3A TSMT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥8.250849 +10：￥7.109481 +100：￥5.305296 +500：￥4.168879 +1000：￥3.221408	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SC-96 供应商器件封装： TSMT3
RTR030N05TL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 45V 3A TSMT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥8.250849 +10：￥7.109481 +100：￥5.305296 +500：￥4.168879 +1000：￥3.221408	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SC-96 供应商器件封装： TSMT3

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RTR030N05TL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 45V 3A TSMT3 下载数据手册晶体管	+1：￥9.919775 +10：￥8.326109 +100：￥6.228318 +500：￥4.992412 +1000：￥3.854078	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 45 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 67 毫欧 3A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.2 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 510 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT3 封装/外壳： SC-96 温度： 150°C（TJ）

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	RTR030N05TL ROHM(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET, N-CH, 45V, 3A, TSMT 下载数据手册未分类	+5：￥4.395933 +50：￥4.121187 +100：￥3.846441 +500：￥3.833953 +1500：￥3.759022	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

RTR030N05TL参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	45 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	3A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	67 毫欧 3A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.5V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	6.2 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	510 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1W（Ta）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TSMT3
封装/外壳:	SC-96
温度:	150°C（TJ）