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搜索 RN1415,LF 共 9 条相关记录
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
RN1415,LF_双极晶体管
RN1415,LF
Toshiba(东芝)
授权代理品牌

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI

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双极晶体管
+1：

￥0.947793

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Toshiba Semiconductor and Storage

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V

电阻器 - 基极 (R1)： 2.2 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2)： 10 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 50 10mA，5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 250µA，5mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA

频率 - 跃迁： 250 MHz

功率 - 最大值： 200 mW

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装： S-Mini

温度：

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RN1415,LF_双极晶体管
RN1415,LF
Toshiba(东芝)
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TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI

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双极晶体管
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库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Toshiba Semiconductor and Storage

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V

电阻器 - 基极 (R1)： 2.2 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2)： 10 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 50 10mA，5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 250µA，5mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA

频率 - 跃迁： 250 MHz

功率 - 最大值： 200 mW

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装： S-Mini

温度：

Digi-Key
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RN1415,LF_双极晶体管
RN1415,LF
Toshiba(东芝)
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TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI

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双极晶体管
+3000：

￥0.445427

+6000：

￥0.399524

+15000：

￥0.340021

+30000：

￥0.314519

+75000：

￥0.272017

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： Toshiba Semiconductor and Storage

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V

电阻器 - 基极 (R1)： 2.2 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2)： 10 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 50 10mA，5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 250µA，5mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA

频率 - 跃迁： 250 MHz

功率 - 最大值： 200 mW

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装： S-Mini

温度：

RN1415,LF_双极晶体管
RN1415,LF
Toshiba(东芝)
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双极晶体管
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￥2.408482

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￥2.238471

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￥2.125132

+100：

￥0.935057

+250：

￥0.897656

库存： 0

货期：7~10 天

系列： -

晶体管类型： NPN - Pre-Biased

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件封装： S-Mini

RN1415,LF_双极晶体管
RN1415,LF
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双极晶体管
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货期：7~10 天

系列： -

晶体管类型： NPN - Pre-Biased

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件封装： S-Mini

RN1415,LF_未分类
RN1415,LF
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￥0.436295

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￥0.412538

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￥0.351122

+30000：

￥0.324759

+75000：

￥0.280869

库存： 0

货期：7~10 天

Packaging： Tape & Reel (TR)

Package / Case： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Mounting Type： Surface Mount

Transistor Type： NPN - Pre-Biased

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic： 300mV @ 250µA, 5mA

Current - Collector Cutoff (Max)： 500nA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： 50 @ 10mA, 5V

Supplier Device Package： S-Mini

Current - Collector (Ic) (Max)： 100 mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 50 V

Power - Max： 200 mW

Frequency - Transition： 250 MHz

Resistor - Base (R1)： 2.2 kOhms

Resistor - Emitter Base (R2)： 10 kOhms

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RN1415,LF
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TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI

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￥2.462481

+10：

￥1.796163

+100：

￥0.966162

+500：

￥0.758444

+1000：

￥0.526683

库存： 0

货期：7~10 天

Packaging： Cut Tape (CT)

Package / Case： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Mounting Type： Surface Mount

Transistor Type： NPN - Pre-Biased

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic： 300mV @ 250µA, 5mA

Current - Collector Cutoff (Max)： 500nA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： 50 @ 10mA, 5V

Supplier Device Package： S-Mini

Current - Collector (Ic) (Max)： 100 mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 50 V

Power - Max： 200 mW

Frequency - Transition： 250 MHz

Resistor - Base (R1)： 2.2 kOhms

Resistor - Emitter Base (R2)： 10 kOhms

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RN1415,LF
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+1000：

￥0.526683

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货期：7~10 天

Packaging： Digi-Reel®

Package / Case： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Mounting Type： Surface Mount

Transistor Type： NPN - Pre-Biased

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic： 300mV @ 250µA, 5mA

Current - Collector Cutoff (Max)： 500nA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： 50 @ 10mA, 5V

Supplier Device Package： S-Mini

Current - Collector (Ic) (Max)： 100 mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 50 V

Power - Max： 200 mW

Frequency - Transition： 250 MHz

Resistor - Base (R1)： 2.2 kOhms

Resistor - Emitter Base (R2)： 10 kOhms

Mouser
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
RN1415,LF_晶体管
RN1415,LF
Toshiba(东芝)
授权代理品牌

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI

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晶体管
+1：

￥2.814973

+10：

￥1.920806

+100：

￥0.87761

+1000：

￥0.51332

+3000：

￥0.430526

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： Toshiba Semiconductor and Storage

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V

电阻器 - 基极 (R1)： 2.2 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2)： 10 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 50 10mA，5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 250µA，5mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA

频率 - 跃迁： 250 MHz

功率 - 最大值： 200 mW

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装： S-Mini

温度：

RN1415,LF参数规格

属性 参数值
品牌: Toshiba Semiconductor and Storage
包装: 剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: NPN - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 100 mA
电压 - 集射极击穿（最大值）: 50 V
电阻器 - 基极 (R1): 2.2 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2): 10 kOhms
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 50 10mA，5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 300mV 250µA，5mA
电流 - 集电极截止（最大值）: 500nA
频率 - 跃迁: 250 MHz
功率 - 最大值: 200 mW
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装: S-Mini
温度: