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自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
RN1303(TE85L,F)_双极晶体管
授权代理品牌

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM

双极晶体管

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

电阻器 - 基极 (R1): 22 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 22 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 70 10mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 250µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250 MHz

功率 - 最大值: 100 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-70,SOT-323

供应商器件封装: SC-70

温度:

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
RN1303(TE85L,F)_双极晶体管
授权代理品牌

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM

双极晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

电阻器 - 基极 (R1): 22 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 22 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 70 10mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 250µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250 MHz

功率 - 最大值: 100 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-70,SOT-323

供应商器件封装: SC-70

温度:

RN1303(TE85L,F)_双极晶体管
授权代理品牌

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM

双极晶体管

+1:

¥3.089006

+10:

¥2.520629

+25:

¥2.115352

+100:

¥1.032964

+250:

¥1.016653

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

晶体管类型: NPN - Pre-Biased

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SC-70, SOT-323

供应商器件封装: USM

RN1303(TE85L,F)_双极晶体管
授权代理品牌

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双极晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

晶体管类型: NPN - Pre-Biased

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SC-70, SOT-323

供应商器件封装: USM

Mouser
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RN1303(TE85L,F)_晶体管
RN1303(TE85L,F)
授权代理品牌

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM

晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

电阻器 - 基极 (R1): 22 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 22 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 70 10mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 250µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250 MHz

功率 - 最大值: 100 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-70,SOT-323

供应商器件封装: SC-70

温度:

RN1303(TE85L,F)参数规格

属性 参数值
品牌: Toshiba Semiconductor and Storage
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: NPN - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V
电阻器 - 基极 (R1): 22 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2): 22 kOhms
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 70 10mA,5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 250µA,5mA
电流 - 集电极截止(最大值): 500nA
频率 - 跃迁: 250 MHz
功率 - 最大值: 100 mW
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SC-70,SOT-323
供应商器件封装: SC-70
温度: