搜索 RN2111ACT(TPL3) 共 4 条相关记录
自营 现货库存
| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格（含税） | 库存 | 关键参数 |
|---|---|---|---|---|---|
 | RN2111ACT(TPL3) 授权代理品牌 | +1： ￥0.985951 +200： ￥0.393402 +500： ￥0.380255 +1000： ￥0.37376 |
Digi-Key
| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格（含税） | 库存 | 关键参数 |
|---|---|---|---|---|---|
| 授权代理品牌 | +10000： ￥0.612859 | |||
 | 授权代理品牌 | 1+: | 系列： - 晶体管类型： Out of Bounds 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SC-101, SOT-883 供应商器件封装： CST3 | ||
 | 授权代理品牌 | 1+: | 系列： - 晶体管类型： Out of Bounds 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SC-101, SOT-883 供应商器件封装： CST3 |
RN2111ACT(TPL3)参数规格
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 包装: | 剪切带（CT）,卷带（TR） |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | |
| 零件状态: | 在售 |
| 晶体管类型: | PNP - 预偏压 |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: | 80 mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值）: | 50 V |
| 电阻器 - 基极 (R1): | 10 kOhms |
| 电阻器 - 发射极 (R2): | - |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: | 120 1mA，5V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: | 150mV 250µA，5mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值）: | 100nA（ICBO） |
| 频率 - 跃迁: | - |
| 功率 - 最大值: | 100 mW |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | SC-101，SOT-883 |
| 供应商器件封装: | CST3 |
| 温度: |