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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RN1414,LF Toshiba(东芝) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI 下载数据手册双极晶体管	+1：￥1.050764	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 1 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 10 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 50 10mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 200 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： S-Mini 温度：

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RN1414,LF Toshiba(东芝) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI 下载数据手册双极晶体管	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 1 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 10 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 50 10mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 200 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： S-Mini 温度：

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RN1414,LF Toshiba(东芝) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI 下载数据手册双极晶体管	+3000：￥0.420846	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 1 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 10 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 50 10mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 200 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： S-Mini 温度：
	RN1414,LF Toshiba(东芝) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI 下载数据手册双极晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 晶体管类型： NPN - Pre-Biased 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： S-Mini
	RN1414,LF Toshiba(东芝) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI 下载数据手册双极晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 晶体管类型： NPN - Pre-Biased 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： S-Mini
	RN1414,LF Toshiba(东芝) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI 下载数据手册未分类	+3000：￥0.426215 +6000：￥0.384433 +15000：￥0.334248 +30000：￥0.300872 +75000：￥0.267374	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tape & Reel (TR) Package / Case： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type： Surface Mount Transistor Type： NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic： 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max)： 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： 50 @ 10mA, 5V Supplier Device Package： S-Mini Current - Collector (Ic) (Max)： 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 50 V Power - Max： 200 mW Frequency - Transition： 250 MHz Resistor - Base (R1)： 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2)： 10 kOhms
	RN1414,LF Toshiba(东芝) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI 下载数据手册未分类	+1：￥2.348629	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Cut Tape (CT) Package / Case： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type： Surface Mount Transistor Type： NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic： 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max)： 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： 50 @ 10mA, 5V Supplier Device Package： S-Mini Current - Collector (Ic) (Max)： 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 50 V Power - Max： 200 mW Frequency - Transition： 250 MHz Resistor - Base (R1)： 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2)： 10 kOhms
	RN1414,LF Toshiba(东芝) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI 下载数据手册未分类	+1：￥2.348629	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Digi-Reel® Package / Case： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type： Surface Mount Transistor Type： NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic： 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max)： 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： 50 @ 10mA, 5V Supplier Device Package： S-Mini Current - Collector (Ic) (Max)： 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 50 V Power - Max： 200 mW Frequency - Transition： 250 MHz Resistor - Base (R1)： 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2)： 10 kOhms

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RN1414,LF Toshiba(东芝) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI 下载数据手册未分类	+1：￥2.986091 +10：￥2.86036 +100：￥1.555912 +500：￥0.958693 +1000：￥0.660084	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 1 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 10 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 50 10mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 200 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： S-Mini 温度：

RN1414,LF参数规格

属性	参数值
品牌:	Toshiba Semiconductor and Storage
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
晶体管类型:	NPN - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:	100 mA
电压 - 集射极击穿（最大值）:	50 V
电阻器 - 基极 (R1):	1 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2):	10 kOhms
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:	50 10mA，5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）:	300mV 250µA，5mA
电流 - 集电极截止（最大值）:	500nA
频率 - 跃迁:	250 MHz
功率 - 最大值:	200 mW
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装:	S-Mini
温度: