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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RN2130MFV,L3F Toshiba(东芝) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM 下载数据手册双极晶体管	+1：￥0.96679	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： PNP - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 100 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 100 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 10mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）频率 - 跃迁： - 功率 - 最大值： 150 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-723 供应商器件封装： VESM 温度：

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RN2130MFV,L3F Toshiba(东芝) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM 下载数据手册双极晶体管	+8000：￥0.219877	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： PNP - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 100 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 100 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 10mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）频率 - 跃迁： - 功率 - 最大值： 150 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-723 供应商器件封装： VESM 温度：

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RN2130MFV,L3F Toshiba(东芝) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM 下载数据手册双极晶体管	+8000：￥0.379948	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： PNP - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 100 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 100 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 10mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）频率 - 跃迁： - 功率 - 最大值： 150 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-723 供应商器件封装： VESM 温度：

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RN2130MFV,L3F Toshiba(东芝) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM 下载数据手册晶体管	+：￥ +：￥ +：￥ +：￥ +：￥	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： PNP - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 100 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 100 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 10mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）频率 - 跃迁： - 功率 - 最大值： 150 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-723 供应商器件封装： VESM 温度：

RN2130MFV,L3F参数规格

属性	参数值
品牌:	Toshiba Semiconductor and Storage
包装:	卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
晶体管类型:	PNP - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:	100 mA
电压 - 集射极击穿（最大值）:	50 V
电阻器 - 基极 (R1):	100 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2):	100 kOhms
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:	100 10mA，5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）:	300mV 500µA，5mA
电流 - 集电极截止（最大值）:	100nA（ICBO）
频率 - 跃迁:	-
功率 - 最大值:	150 mW
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	SOT-723
供应商器件封装:	VESM
温度: