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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RSS095N05FU6TB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 45V 9.5A 8-SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥16.139578 +200：￥6.447089 +500：￥6.228544 +1000：￥6.119271	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 45 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16 毫欧 9.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26.5 nC 5 V Vgs（最大值）： 20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1830 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： - 安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOP 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
RSS095N05FU6TB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 45V 9.5A 8-SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥12.531072 +5000：￥12.059938	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 45 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16 毫欧 9.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26.5 nC 5 V Vgs（最大值）： 20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1830 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： - 安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOP 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -
RSS095N05FU6TB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 45V 9.5A 8-SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： - 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SOP
RSS095N05FU6TB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 45V 9.5A 8-SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： - 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SOP

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RSS095N05FU6TB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 45V 9.5A 8-SOIC 下载数据手册晶体管	+1：￥31.796004 +10：￥30.16544 +100：￥28.534876 +250：￥28.045707 +500：￥27.556539	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 45 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16 毫欧 9.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26.5 nC 5 V Vgs（最大值）： 20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1830 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： - 安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOP 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -

RSS095N05FU6TB参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	45 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	9.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	16 毫欧 9.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	26.5 nC 5 V
Vgs（最大值）:	20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1830 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2W（Ta）
工作温度:	-
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-SOP
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
温度:	-