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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RSH070P05TB1 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 45V 7A SOP8 下载数据手册未分类	+2500：￥2.710511	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：不适用于新设计 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 45 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 27 毫欧 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 47.6 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4100 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOP 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： 150°C（TJ）

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	RSH070P05TB1 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 45V 7A SOP8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥73.688791 +10：￥19.994618 +50：￥12.227838 +100：￥11.262542 +500：￥10.619012	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：不适用于新设计 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 45 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 27 毫欧 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 47.6 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4100 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOP 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： 150°C（TJ）

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	RSH070P05TB1 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 45V 7A SOP8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥5.095503 +5000：￥4.906815	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：不适用于新设计 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 45 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 27 毫欧 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 47.6 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4100 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOP 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
RSH070P05TB1 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 45V 7A SOP8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥12.46495 +5000：￥12.003369	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：不适用于新设计 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 45 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 27 毫欧 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 47.6 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4100 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOP 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： 150°C（TJ）
RSH070P05TB1 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 45V 7A SOP8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥27.18528 +10：￥24.466752 +100：￥19.667341 +500：￥16.158304 +1000：￥13.388253	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SOP
RSH070P05TB1 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 45V 7A SOP8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥27.18528 +10：￥24.466752 +100：￥19.667341 +500：￥16.158304 +1000：￥13.388253	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SOP

Mouser

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	RSH070P05TB1 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 45V 7A SOP8 下载数据手册未分类	+1：￥31.564838 +10：￥28.31073 +100：￥22.778748 +500：￥18.711115 +1000：￥15.78242	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：不适用于新设计 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 45 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 27 毫欧 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 47.6 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4100 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOP 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： 150°C（TJ）

RSH070P05TB1参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	不适用于新设计
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	45 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	7A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	27 毫欧 7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	47.6 nC 5 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	4100 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2W（Ta）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-SOP
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
温度:	150°C（TJ）