RCX220N25厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RCX220N25 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 22A TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.23096 +200：￥6.0258 +500：￥4.82064 +1000：￥4.0172	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：散装,散装封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 22A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 140 毫欧 11A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 60 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3200 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.23W（Ta），40W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220FM 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RCX220N25 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 22A TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.419616 +200：￥2.873872 +500：￥2.775527 +1000：￥2.72089	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：散装,散装封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 22A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 140 毫欧 11A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 60 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3200 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.23W（Ta），40W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220FM 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： 150°C（TJ）

自营国内现货

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	RCX220N25 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 22A TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.772785	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：散装,散装封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 22A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 140 毫欧 11A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 60 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3200 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.23W（Ta），40W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220FM 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

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	RCX220N25 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 22A TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥23.906821	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：散装,散装封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 22A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 140 毫欧 11A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 60 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3200 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.23W（Ta），40W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220FM 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： 150°C（TJ）
	RCX220N25 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 22A TO220FM 下载数据手册未分类	+1：￥30.943941 +10：￥25.653527 +500：￥17.276416 +1000：￥14.658874 +5000：￥13.402436	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： TO-220-3 Full Pack Mounting Type： Through Hole Operating Temperature： 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 140mOhm @ 11A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 2.23W (Ta), 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 5V @ 1mA Supplier Device Package： TO-220FM Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±30V Drain to Source Voltage (Vdss)： 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 3200 pF @ 25 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RCX220N25 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 22A TO220 下载数据手册晶体管	+1：￥35.373417 +10：￥29.342004 +100：￥23.473605 +250：￥21.680481 +500：￥20.213382	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：散装,散装封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 22A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 140 毫欧 11A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 60 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3200 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.23W（Ta），40W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220FM 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： 150°C（TJ）

RCX220N25参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	散装,散装
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	250 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	22A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	140 毫欧 11A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	60 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	3200 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.23W（Ta），40W（Tc）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220FM
封装/外壳:	TO-220-3 整包
温度:	150°C（TJ）