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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RQ3E150GNTB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 15A 8-HSMT 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.6784 +10：￥3.12664 +30：￥2.57488 +100：￥2.299 +500：￥2.11508	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.1 毫欧 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15.3 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 850 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta），17.2W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-HSMT（3.2x3）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RQ3E150GNTB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 15A 8-HSMT 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.803 +10：￥1.5626 +30：￥1.464254 +100：￥1.333127 +500：￥1.278491	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.1 毫欧 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15.3 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 850 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta），17.2W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-HSMT（3.2x3）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： 150°C（TJ）

自营国内现货

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	RQ3E150GNTB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 15A 8-HSMT 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.155347 +6000：￥1.080809	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.1 毫欧 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15.3 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 850 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta），17.2W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-HSMT（3.2x3）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
RQ3E150GNTB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 15A 8-HSMT 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥2.826283 +6000：￥2.643944	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.1 毫欧 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15.3 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 850 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta），17.2W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-HSMT（3.2x3）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： 150°C（TJ）
RQ3E150GNTB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 15A 8-HSMT 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.933823 +10：￥6.842922 +100：￥5.105981 +500：￥4.011397 +1000：￥3.099717	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： 8-HSMT (3.2x3)
RQ3E150GNTB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 15A 8-HSMT 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥5.667017	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： 8-HSMT (3.2x3)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RQ3E150GNTB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 15A 8-HSMT 下载数据手册晶体管	+1：￥9.636387 +10：￥8.150098 +100：￥5.7655 +500：￥4.524202 +1000：￥3.674893	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.1 毫欧 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15.3 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 850 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta），17.2W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-HSMT（3.2x3）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RQ3E150GNTB ROHM(罗姆) 授权代理品牌	场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 39A, HSMT-8 下载数据手册未分类	+1：￥5.097354 +10：￥4.025603 +100：￥3.123765 +500：￥2.548677 +1000：￥1.973591	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RQ3E150GNTB ROHM(罗姆) 授权代理品牌	Days to ship 3 下载数据手册未分类	+5：￥1.941548 +50：￥1.656026 +100：￥1.60844	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RQ3E150GNTB ROHM(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET, N-CH, 30V, 39A, HSMT-8 下载数据手册未分类	+1：￥5.416073 +10：￥4.612785 +100：￥3.444378 +500：￥2.701945 +1000：￥2.093405	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

RQ3E150GNTB参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	15A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	6.1 毫欧 15A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	15.3 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	850 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2W（Ta），17.2W（Tc）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-HSMT（3.2x3）
封装/外壳:	8-PowerVDFN
温度:	150°C（TJ）