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图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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RTL020P02FRATR 授权代理品牌 | +1: ¥5.714298 +10: ¥4.938787 +100: ¥3.687083 +500: ¥2.897965 +1000: ¥2.244904 |
RTL020P02FRATR参数规格
属性 | 参数值 |
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品牌: | Rohm Semiconductor |
包装: | 剪切带(CT),卷带(TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | Automotive, AEC-Q101 |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | P 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 20 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 2A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 2.5V,4.5V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 135 毫欧 2A,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 2V 1mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 4.9 nC 4.5 V |
Vgs(最大值): | ±12V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 430 pF 10 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 1W(Ta) |
工作温度: | 150°C |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | TUMT6 |
封装/外壳: | 6-SMD,扁平引线 |
温度: | 150°C |