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自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
RTL020P02FRATR_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

2.5V DRIVE PCH MOSFET (CORRESPON

晶体管-FET,MOSFET-单个

+3000:

¥1.038251

+6000:

¥0.975327

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 2.5V,4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 135 毫欧 2A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 4.9 nC 4.5 V

Vgs(最大值): ±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 430 pF 10 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 1W(Ta)

工作温度: 150°C

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: TUMT6

封装/外壳: 6-SMD,扁平引线

温度: 150°C

Digi-Key
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RTL020P02FRATR_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

2.5V DRIVE PCH MOSFET (CORRESPON

晶体管-FET,MOSFET-单个

+3000:

¥1.794095

+6000:

¥1.685362

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 2.5V,4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 135 毫欧 2A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 4.9 nC 4.5 V

Vgs(最大值): ±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 430 pF 10 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 1W(Ta)

工作温度: 150°C

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: TUMT6

封装/外壳: 6-SMD,扁平引线

温度: 150°C

RTL020P02FRATR_晶体管-FET,MOSFET-单个
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2.5V DRIVE PCH MOSFET (CORRESPON

晶体管-FET,MOSFET-单个

+1:

¥6.301571

+10:

¥5.115392

+100:

¥3.479455

+500:

¥2.609592

+1000:

¥1.957194

库存: 0

货期:7~10 天

系列: Automotive, AEC-Q101

工作温度: 150°C

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 6-SMD, Flat Leads

供应商器件封装: TUMT6

RTL020P02FRATR_晶体管-FET,MOSFET-单个
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2.5V DRIVE PCH MOSFET (CORRESPON

晶体管-FET,MOSFET-单个

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货期:7~10 天

系列: Automotive, AEC-Q101

工作温度: 150°C

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 6-SMD, Flat Leads

供应商器件封装: TUMT6

Mouser
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RTL020P02FRATR_未分类
RTL020P02FRATR
授权代理品牌

2.5V DRIVE PCH MOSFET (CORRESPON

未分类

+1:

¥5.714298

+10:

¥4.938787

+100:

¥3.687083

+500:

¥2.897965

+1000:

¥2.244904

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 2.5V,4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 135 毫欧 2A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 4.9 nC 4.5 V

Vgs(最大值): ±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 430 pF 10 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 1W(Ta)

工作温度: 150°C

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: TUMT6

封装/外壳: 6-SMD,扁平引线

温度: 150°C

RTL020P02FRATR参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: Automotive, AEC-Q101
零件状态: 在售
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 2.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 135 毫欧 2A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 4.9 nC 4.5 V
Vgs(最大值): ±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 430 pF 10 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 1W(Ta)
工作温度: 150°C
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TUMT6
封装/外壳: 6-SMD,扁平引线
温度: 150°C