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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	R6025JNZC8 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	NCH 600V 25A POWER MOSFET; R6025 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥64.436977 +10：￥31.986713 +30：￥23.17876	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：袋封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 25A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 15V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 182 毫欧 12.5A，15V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 7V 4.5mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 57 nC 15 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1900 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 85W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3PF 封装/外壳： TO-3P-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	R6025JNZC8 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	NCH 600V 25A POWER MOSFET; R6025 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥130.132858 +200：￥51.926387 +360：￥50.188951 +1080：￥49.336624	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：袋封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 25A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 15V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 182 毫欧 12.5A，15V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 7V 4.5mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 57 nC 15 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1900 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 85W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3PF 封装/外壳： TO-3P-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	R6025JNZC8 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	NCH 600V 25A POWER MOSFET; R6025 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥113.586323 +10：￥97.412775	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：袋封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 25A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 15V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 182 毫欧 12.5A，15V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 7V 4.5mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 57 nC 15 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1900 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 85W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3PF 封装/外壳： TO-3P-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	R6025JNZC8 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	NCH 600V 25A POWER MOSFET; R6025 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：袋封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 25A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 15V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 182 毫欧 12.5A，15V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 7V 4.5mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 57 nC 15 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1900 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 85W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3PF 封装/外壳： TO-3P-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

R6025JNZC8参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	袋
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	停产
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	25A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	182 毫欧 12.5A，15V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	7V 4.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	57 nC 15 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1900 pF 100 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	85W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-3PF
封装/外壳:	TO-3P-3 整包
温度:	-55°C # 150°C（TJ）