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RSS070N05TB1
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RSS070N05TB1 VBSEMI/台湾微碧半导体

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RSS070N05TB1 VBSEMI/微碧半导体

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RSS070N05TB1 BYCHIP/百域芯

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RSS070N05TB1 JSMICRO/深圳杰盛微

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RSS070N05TB1_晶体管-FET,MOSFET-单个
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品牌: Rohm Semiconductor

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 45 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 25 毫欧 7A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 16.8 nC 5 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1000 pF 10 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2W(Ta)

工作温度: 150°C

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-SOP

封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

温度: 150°C

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货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 45 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 25 毫欧 7A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 16.8 nC 5 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1000 pF 10 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2W(Ta)

工作温度: 150°C

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-SOP

封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

温度: 150°C

RSS070N05TB1参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: 卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 45 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 25 毫欧 7A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 16.8 nC 5 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1000 pF 10 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 2W(Ta)
工作温度: 150°C
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-SOP
封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
温度: 150°C