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搜索 RS1E180BNTB 共 10 条相关记录
自营 现货库存
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
RS1E180BNTB_晶体管-FET，MOSFET-单个
RS1E180BNTB
Rohm Semiconductor(罗姆)
授权代理品牌

MOSFET N-CHANNEL 30V 60A 8-HSOP

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晶体管-FET，MOSFET-单个
+1：

￥1.67963

+200：

￥0.650063

+500：

￥0.627226

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￥0.615861

库存： 1000 +

国内：1~2 天

系列： *

工作温度： -

安装类型： -

封装/外壳： -

供应商器件封装： -

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RS1E180BNTB_晶体管-FET，MOSFET-单个
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Rohm Semiconductor(罗姆)
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MOSFET N-CHANNEL 30V 60A 8-HSOP

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晶体管-FET，MOSFET-单个
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￥4.095484

+100：

￥3.642143

+500：

￥3.642143

库存： 1000 +

国内：1~2 天

系列： *

工作温度： -

安装类型： -

封装/外壳： -

供应商器件封装： -

自营 国内现货
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RS1E180BNTB_晶体管-FET，MOSFET-单个
RS1E180BNTB
Rohm Semiconductor(罗姆)
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MOSFET N-CHANNEL 30V 60A 8-HSOP

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晶体管-FET，MOSFET-单个
+2500：

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库存： 1000 +

国内：1~2 天

系列： *

工作温度： -

安装类型： -

封装/外壳： -

供应商器件封装： -

Digi-Key
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RS1E180BNTB_晶体管-FET，MOSFET-单个
RS1E180BNTB
Rohm Semiconductor(罗姆)
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MOSFET N-CHANNEL 30V 60A 8-HSOP

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晶体管-FET，MOSFET-单个
+2500：

￥2.766921

库存： 0

货期：7~10 天

系列： *

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安装类型： -

封装/外壳： -

供应商器件封装： -

RS1E180BNTB_晶体管-FET，MOSFET-单个
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MOSFET N-CHANNEL 30V 60A 8-HSOP

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晶体管-FET，MOSFET-单个
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￥7.792149

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￥6.701248

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￥6.250721

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￥4.641288

+250：

￥4.409506

库存： 0

货期：7~10 天

系列： *

工作温度： -

安装类型： -

封装/外壳： -

供应商器件封装： -

RS1E180BNTB_晶体管-FET，MOSFET-单个
RS1E180BNTB
Rohm Semiconductor(罗姆)
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晶体管-FET，MOSFET-单个
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货期：7~10 天

系列： *

工作温度： -

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封装/外壳： -

供应商器件封装： -

RS1E180BNTB_未分类
RS1E180BNTB
Rohm Semiconductor(罗姆)
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MOSFET N-CHANNEL 30V 60A 8-HSOP

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未分类
+2500：

￥3.086263

+5000：

￥2.929386

+12500：

￥2.720073

+25000：

￥2.657349

库存： 0

货期：7~10 天

Packaging： Tape & Reel (TR)

Package / Case： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 60A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 4.9mOhm @ 18A, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 3W (Ta), 25W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id： 2.5V @ 1mA

Supplier Device Package： CPT3

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V

Vgs (Max)： ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 30 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 46 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 2400 pF @ 15 V

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RS1E180BNTB
Rohm Semiconductor(罗姆)
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未分类
+1：

￥9.144056

+10：

￥7.829599

+100：

￥5.440714

+500：

￥4.2477

+1000：

￥3.452453

库存： 0

货期：7~10 天

Packaging： Cut Tape (CT)

Package / Case： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 60A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 4.9mOhm @ 18A, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 3W (Ta), 25W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id： 2.5V @ 1mA

Supplier Device Package： CPT3

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V

Vgs (Max)： ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 30 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 46 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 2400 pF @ 15 V

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MOSFET N-CHANNEL 30V 60A 8-HSOP

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+1：

￥9.144056

+10：

￥7.829599

+100：

￥5.440714

+500：

￥4.2477

+1000：

￥3.452453

库存： 0

货期：7~10 天

Packaging： Digi-Reel®

Package / Case： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 60A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 4.9mOhm @ 18A, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 3W (Ta), 25W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id： 2.5V @ 1mA

Supplier Device Package： CPT3

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V

Vgs (Max)： ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 30 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 46 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 2400 pF @ 15 V

Mouser
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Rohm Semiconductor(罗姆)
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MOSFET N-CHANNEL 30V 60A 8-HSOP

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+1：

￥10.45303

+10：

￥8.950408

+100：

￥6.222819

+500：

￥4.867194

+1000：

￥3.952553

库存： 0

货期：7~10 天

系列： *

工作温度： -

安装类型： -

封装/外壳： -

供应商器件封装： -

RS1E180BNTB参数规格

属性 参数值
系列: *
工作温度: -
安装类型: -
封装/外壳: -
供应商器件封装: -