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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RQ6E035TNTR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	RQ6E035TN IS THE LOW ON - RESIST 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.064944 +200：￥1.628163 +500：￥1.573527 +1000：￥1.540745	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 54 毫欧 3.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.4 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 285 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 950mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT6（SC-95）封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： 150°C（TJ）

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	RQ6E035TNTR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	RQ6E035TN IS THE LOW ON - RESIST 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+50：￥5.745773	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 54 毫欧 3.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.4 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 285 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 950mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT6（SC-95）封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： 150°C（TJ）

自营国内现货

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	RQ6E035TNTR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	RQ6E035TN IS THE LOW ON - RESIST 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.259526 +6000：￥1.195503 +9000：￥1.110081 +30000：￥1.084484	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 54 毫欧 3.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.4 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 285 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 950mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT6（SC-95）封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
RQ6E035TNTR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	RQ6E035TN IS THE LOW ON - RESIST 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥3.081133 +6000：￥2.924516 +9000：￥2.715552 +30000：￥2.652934	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 54 毫欧 3.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.4 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 285 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 950mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT6（SC-95）封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： 150°C（TJ）
RQ6E035TNTR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	RQ6E035TN IS THE LOW ON - RESIST 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.12886 +10：￥7.816587 +100：￥5.431673 +500：￥4.240641 +1000：￥3.446716	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供应商器件封装： TSMT6 (SC-95)
RQ6E035TNTR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	RQ6E035TN IS THE LOW ON - RESIST 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.12886 +10：￥7.816587 +100：￥5.431673 +500：￥4.240641 +1000：￥3.446716	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供应商器件封装： TSMT6 (SC-95)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RQ6E035TNTR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	RQ6E035TN IS THE LOW ON - RESIST 下载数据手册晶体管	+1：￥10.272557 +10：￥8.935493 +100：￥6.669008 +500：￥5.250417 +1000：￥4.0438	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 54 毫欧 3.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.4 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 285 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 950mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT6（SC-95）封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： 150°C（TJ）

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	RQ6E035TNTR ROHM(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET 30V N-CHANNEL 3.5A 下载数据手册未分类	+3000：￥2.080368 +6000：￥1.983153 +12000：￥1.915104	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RQ6E035TNTR ROHM(罗姆) 授权代理品牌	场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 3.5A, 150度 C, 1.25W 下载数据手册未分类	+5：￥4.979723 +100：￥3.659639 +500：￥2.87543 +1000：￥2.326485 +3000：￥2.091223	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RQ6E035TNTR ROHM(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET, N-CH, 30V, 3.5A, 150DEG C, 1.25W 下载数据手册未分类	+5：￥5.457017 +100：￥3.799342 +500：￥2.964449 +1000：￥2.407862	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

RQ6E035TNTR参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	3.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	54 毫欧 3.5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.5V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	6.4 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	285 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	950mW（Ta）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TSMT6（SC-95）
封装/外壳:	SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
温度:	150°C（TJ）