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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RF4C050APTR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 10A 8HUML 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥10.425686 +100：￥6.026133 +1500：￥3.82051 +3000：￥2.762209	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 26 毫欧 5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 55 nC 4.5 V Vgs（最大值）： -8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5500 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： HUML2020L8 封装/外壳： 8-PowerUDFN 温度： 150°C（TJ）
	RF4C050APTR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 10A 8HUML 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+50：￥4.276016 +100：￥3.551545 +500：￥3.07826 +1000：￥2.954201 +2000：￥2.852353	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 26 毫欧 5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 55 nC 4.5 V Vgs（最大值）： -8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5500 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： HUML2020L8 封装/外壳： 8-PowerUDFN 温度： 150°C（TJ）

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	RF4C050APTR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 10A 8HUML 下载数据手册	+1：￥13.651373 +100：￥7.890566 +1500：￥5.00256 +3000：￥3.616877	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 26 毫欧 5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 55 nC 4.5 V Vgs（最大值）： -8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5500 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： HUML2020L8 封装/外壳： 8-PowerUDFN 温度： 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RF4C050APTR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 10A HUML2020L8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.653521 +6000：￥1.52513 +9000：￥1.459714 +15000：￥1.386169 +21000：￥1.360215	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 26 毫欧 5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 55 nC 4.5 V Vgs（最大值）： -8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5500 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： HUML2020L8 封装/外壳： 8-PowerUDFN 温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
RF4C050APTR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 10A 8HUML 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥4.044951 +6000：￥3.73087 +9000：￥3.570847 +15000：￥3.390935 +21000：￥3.327446	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 26 毫欧 5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 55 nC 4.5 V Vgs（最大值）： -8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5500 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： HUML2020L8 封装/外壳： 8-PowerUDFN 温度： 150°C（TJ）
RF4C050APTR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 10A 8HUML 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥16.369502 +10：￥10.204167 +100：￥6.674781 +500：￥5.157159 +1000：￥4.667603	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerUDFN 供应商器件封装： HUML2020L8
RF4C050APTR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 10A 8HUML 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥16.369502 +10：￥10.204167 +100：￥6.674781 +500：￥5.157159 +1000：￥4.667603	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerUDFN 供应商器件封装： HUML2020L8

Mouser

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	RF4C050APTR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 10A 8HUML 下载数据手册晶体管	+1：￥10.778917 +10：￥10.264847 +100：￥6.865342 +500：￥5.472374 +1000：￥4.842221	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 26 毫欧 5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 55 nC 4.5 V Vgs（最大值）： -8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5500 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： HUML2020L8 封装/外壳： 8-PowerUDFN 温度： 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RF4C050APTR ROHM(罗姆) 授权代理品牌	Days to ship 3 下载数据手册未分类	+5：￥3.511717 +50：￥2.509733 +100：￥1.8322 +500：￥1.822658 +1000：￥1.794029	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

RF4C050APTR参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	10A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	26 毫欧 5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	55 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	-8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	5500 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2W（Ta）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	HUML2020L8
封装/外壳:	8-PowerUDFN
温度:	150°C（TJ）