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| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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R6530ENZC17 授权代理品牌 | +1: ¥63.454657 +210: ¥25.318485 +510: ¥24.477085 +990: ¥24.061849 |
Mouser
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R6530ENZC17 授权代理品牌 | 1+: |
R6530ENZC17参数规格
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | Rohm Semiconductor |
| 包装: | 管件 |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET(金属氧化物) |
| 漏源电压(Vdss): | 650 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 30A(Tc) |
| 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 140 毫欧 14.5A,10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 4V 960µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 90 nC 10 V |
| Vgs(最大值): | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 2100 pF 25 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散(最大值): | 86W(Tc) |
| 工作温度: | 150°C(TJ) |
| 安装类型: | 通孔 |
| 供应商器件封装: | TO-3PF |
| 封装/外壳: | TO-3P-3 整包 |
| 温度: | 150°C(TJ) |
