搜索 RJK0330DPB-01#J0 共 5 条相关记录
自营 国内现货
| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格（含税） | 库存 | 关键参数 |
|---|---|---|---|---|---|
 | RJK0330DPB-01#J0 | +2500： ￥6.909443 +5000： ￥6.653538 |
Digi-Key
| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格（含税） | 库存 | 关键参数 |
|---|---|---|---|---|---|
| +2500： ￥16.902328 +5000： ￥16.276316 | ||||
 | 1+: | 系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SC-100, SOT-669 供应商器件封装： LFPAK | |||
 | 1+: | 系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SC-100, SOT-669 供应商器件封装： LFPAK |
Mouser
| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格（含税） | 库存 | 关键参数 |
|---|---|---|---|---|---|
| RJK0330DPB-01#J0 | +1： ￥43.007069 +10： ￥38.462926 +100： ￥30.997549 +500： ￥25.47966 +1000： ￥21.097807 |
RJK0330DPB-01#J0参数规格
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | Renesas Electronics America Inc |
| 包装: | 剪切带（CT）,卷带（TR） |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 45A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 2.7 毫欧 22.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | - |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 27 nC 4.5 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 4300 pF 10 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 55W（Tc） |
| 工作温度: | 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | LFPAK |
| 封装/外壳: | SC-100，SOT-669 |
| 温度: | 150°C（TJ） |